西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司同嘉锡获国家专利权
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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利一种单晶硅棒中缺陷的检测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115931863B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211601912.5，技术领域涉及：G01N21/84；该发明授权一种单晶硅棒中缺陷的检测方法及系统是由同嘉锡;请求不公布姓名设计研发完成，并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单晶硅棒中缺陷的检测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种单晶硅棒中缺陷的检测方法及系统；所述检测方法包括：从单晶硅棒的P‑band区域进行切割以制备得到待测硅片；对所述待测硅片进行酸性腐蚀以对所述待测硅片的表面厚度进行减薄处理以去除所述待测硅片表面的损伤层；对减薄后的所述待测硅片采用赛科腐蚀液进行腐蚀以使得所述待测硅片中的缺陷被显现；对所述待测硅片中的缺陷进行检测，当所述缺陷的特征满足设定的条件时判定为NDP缺陷。
本发明授权一种单晶硅棒中缺陷的检测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种单晶硅棒中缺陷的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括： 从单晶硅棒的P-band区域进行切割以制备得到待测硅片； 对所述待测硅片进行酸性腐蚀以对所述待测硅片的表面厚度进行减薄处理以去除所述待测硅片表面的损伤层； 对减薄后的所述待测硅片采用赛科腐蚀液进行腐蚀以使得所述待测硅片中的缺陷被显现； 对所述待测硅片中的缺陷进行检测，当所述缺陷的特征满足设定的条件时判定为NDP缺陷， 其中，对所述待测硅片中的缺陷进行检测，当所述缺陷的特征满足设定的条件时判定为NDP缺陷，包括： 当所述待测硅片的表面出现具有高密度且呈对称图案的缺陷聚集时，若所述缺陷的特征同时满足以下三种条件，判定所述缺陷为NDP缺陷： 所述缺陷的分布呈圆盘状，或者环状，或者圆盘状与环状组合； 所述缺陷的形貌为黑色圆形孔洞型，且中心呈现金属光泽，无特殊形状亮斑； 所述缺陷的密度大于100eacm²。
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