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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911201B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211454849.7，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管是由高虹;程龙;郑文杰;舒俊;张彩霞;程金连;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2022-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、应力补偿层、应力释放层、多量子阱层、P型GaN层；所述应力补偿层包括依次层叠于所述N型GaN层上的AlGaN层、第一GaN层、InGaNGaN超晶格层和第二GaN层。本发明提供的发光二极管外延片，其良率高，且能够有效提升芯片发光亮度。

本发明授权发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、应力补偿层、应力释放层、多量子阱层、P型GaN层； 所述应力补偿层由依次层叠于所述N型GaN层上的AlGaN层、第一GaN层、InGaNGaN超晶格层和第二GaN层组成； 所述第一GaN层为重掺Si的GaN层，所述第一GaN层的Si掺杂浓度为9*1018atomscm3-9.5*1018atomscm3； 所述第二GaN层为低掺Si的GaN层，所述第二GaN层的Si掺杂浓度为1*1017atomscm3-1*1018atomscm3，且由所述InGaNGaN超晶格层至所述应力释放层，第二GaN层的Si掺杂浓度由低至高渐变； 所述InGaNGaN超晶格层包括交叠设置的InGaN层和GaN层，交叠周期数为20-30；所述InGaN层与所述GaN层的厚度比＜1.5； 所述InGaNGaN超晶格层为低掺Si的InGaNGaN超晶格层，Si掺杂浓度为5*1017atomscm3-1*1018atomscm3； 所述应力补偿层的Si掺杂浓度从所述第一GaN层至所述InGaNGaN超晶格层的方向为逐渐降低的形式。

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