对话半导体美国公司G·英特拉特获国家专利权
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龙图腾网获悉对话半导体美国公司申请的专利SPI闪存存储器装置中的延迟减少获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115910162B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111183208.8,技术领域涉及:G11C16/08;该发明授权SPI闪存存储器装置中的延迟减少是由G·英特拉特设计研发完成,并于2021-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本SPI闪存存储器装置中的延迟减少在说明书摘要公布了:本发明涉及SPI闪存存储器装置中的延迟减少。一种方法可以包括以下步骤:在存储器装置中从主机装置接收读请求,该主机装置通过接口联接至存储器装置;对从接口接收到的读请求的地址进行解码;对读请求的命令进行解码,以确定读请求是否针对对齐地址操作;当读请求被确定为针对对齐地址操作时,不管所解码的地址的实际对齐如何,保持所解码的地址而不进行修改;以及通过使用所解码的地址,在存储器装置上按照对齐地址操作执行读请求。
本发明授权SPI闪存存储器装置中的延迟减少在权利要求书中公布了:1.一种方法,所述方法包括以下步骤: a在存储器装置中从主机装置接收读请求,所述主机装置通过接口联接至所述存储器装置; b对从所述接口接收到的所述读请求的地址进行解码; c对所述读请求的命令进行解码,以确定所述读请求是否针对对齐地址操作; d当所述读请求被确定为针对所述对齐地址操作时,不管所解码的地址的实际对齐如何,保持所解码的地址而不进行修改; e通过使用所解码的地址,在所述存储器装置上按照所述对齐地址操作执行所述读请求, f访问所述存储器装置上的配置位;以及 g仅当所述配置位处于第一状态并且所述读请求被确定为针对所述对齐地址操作时,才执行所述保持步骤和所述执行步骤。
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