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龙图腾网获悉徐州鑫晶半导体科技有限公司申请的专利籽晶夹头、籽晶夹头的控制方法和晶体生长炉获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115874276B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211651845.8，技术领域涉及：C30B15/32；该发明授权籽晶夹头、籽晶夹头的控制方法和晶体生长炉是由陈俊宏设计研发完成，并于2022-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本籽晶夹头、籽晶夹头的控制方法和晶体生长炉在说明书摘要公布了：本发明公开了一种籽晶夹头、籽晶夹头的控制方法和晶体生长炉，单次长晶过程所需的籽晶的最小长度为L1，籽晶夹头包括外壳和第一驱动组件，外壳内限定出盛放腔，盛放腔包括第一盛放腔，第一盛放腔用于放置生长位籽晶，第一盛放腔的底部形成有通口，以使位于第一盛放腔的生长位籽晶的下端适于通过通口伸出，第一盛放腔的高度为L2，L2≥2*L1；第一驱动组件设于外壳且用于驱动位于第一盛放腔的生长位籽晶向下移动。根据本发明的籽晶夹头，可以缩短籽晶的更换时长，无需频繁更换籽晶，由此提升籽晶的更换效率。

本发明授权籽晶夹头、籽晶夹头的控制方法和晶体生长炉在权利要求书中公布了：1.一种籽晶夹头，其特征在于，单次长晶过程所需的籽晶的最小长度为L1，所述籽晶夹头包括： 外壳，所述外壳内限定出盛放腔，所述盛放腔包括第一盛放腔，所述第一盛放腔用于放置单根生长位籽晶，所述第一盛放腔的底部形成有通口，以使位于所述第一盛放腔的所述生长位籽晶的下端适于通过所述通口伸出，所述第一盛放腔的高度为L2，L2≥2*L1； 夹持组件，所述夹持组件设于所述盛放腔，且所述夹持组件内限定出所述第一盛放腔，所述夹持组件的内壁上形成有第一限位部，所述第一限位部适于与所述生长位籽晶外周壁上的多个沿轴向间隔设置的第二限位部配合，以限制所述生长位籽晶在上下方向上的移动； 第一驱动组件，所述第一驱动组件设于所述外壳且用于驱动位于所述第一盛放腔的所述生长位籽晶相对所述夹持组件向下移动，以增大所述生长位籽晶通过所述通口伸出的长度； 所述夹持组件包括多个沿周向依次设置的夹套，所述第一限位部包括多个沿周向依次设置的限位子部，每个所述夹套的内壁分别形成有所述限位子部，且每个所述夹套在径向上的位置可调，以使所述夹持组件具有夹持状态和释放状态，在夹持状态下，每个所述夹套分别适于与所述生长位籽晶止抵，在释放状态下，每个所述夹套分别适于与所述生长位籽晶分离， 所述限位子部形成为卡凸，所述夹持状态具有第一夹持状态和第二夹持状态，在所述第一夹持状态下，每个所述夹套的所述限位子部适于与对应所述第二限位部配合，在所述第二夹持状态下，每个所述夹套的所述限位子部适于与所述生长位籽晶的外周壁上除所述第二限位部以外的其他位置配合， 其中，在所述第一夹持状态下所述夹套与所述外壳的中心轴线之间的径向距离小于在所述第二夹持状态下所述夹套与所述外壳的中心轴线之间的径向距离。

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