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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种基于薄膜铌酸锂密集双波导的偏振无关的电光调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115857201B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211638060.7，技术领域涉及：G02F1/035；该发明授权一种基于薄膜铌酸锂密集双波导的偏振无关的电光调制器是由王宗;陈楷旋;郭昌建设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于薄膜铌酸锂密集双波导的偏振无关的电光调制器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于薄膜铌酸锂密集双波导的偏振无关的电光调制器，包括衬底硅层、埋氧层、铌酸锂层和位于铌酸锂层上的金属电阻与电极。铌酸锂层包括了输入和输出直波导、输入和输出端模式转换器、1*3分束器、1*2分束器、双波导相移臂、2*1合束器、3*1合束器。当TE0模式从输入直波导输入，经过输入端模式转换器保持不变，经过1*3分束器和1*2分束器将其分成相等两束光置于内侧波导的两个通道；当TM0模式输入时，经过输入端模式转换器转换为一阶横电模即TE1模，经过1*3分束器分为两TE0模式置于外侧波导的两个通道，最后转为TM0模输出，TE0模保持不变输出。本发明为偏振无关的电光调制器的实现提供了新的方案，有效的扩大了电光调制器的应用范围。

本发明授权一种基于薄膜铌酸锂密集双波导的偏振无关的电光调制器在权利要求书中公布了：1.一种基于薄膜铌酸锂密集双波导的偏振无关的电光调制器，其特征在于，包括从下到上依次层叠布置的硅衬底层25、埋氧层24、铌酸锂层23，在铌酸锂层23上方布置了加热电阻7、T结构金属电极15、金属行波信号电极13以及金属行波接地电极14；通过刻蚀技术在X切铌酸锂层形成薄膜铌酸锂光波导，薄膜铌酸锂光波导包含了依次连接的输入直波导1、输入端模式转换器2、1*3分束器3，1*2分束器4、第一S弯曲波导5、第二S弯曲波导6、第三S弯曲波导8、第四S弯曲波导9、双波导相移臂12、第五S弯曲波导17、第六S弯曲波导18、2*1合束器19，3*1合束器20、输出端模式转换器21与输出直波导22，双波导相移臂12处设置有金属行波电极，所述金属行波电极包括：两侧各连接一组周期性排布的T结构金属电极15的金属行波信号电极13、单侧连接一组周期性排布的T结构金属电极15的金属行波接地电极14，并通过铌酸锂层23处的小孔16将硅衬底层25部分刻蚀形成一个空腔26，两侧各连接一组周期性排布的T结构金属电极15的金属行波信号电极13位于双波导相移臂12两臂之间，而单侧连接一组周期性排布的T结构金属电极15的两个金属行波接地电极14位于双波导相移臂12两臂之外；输入直波导1、输入端模式转换器2、1*3分束器3以及1*2分束器4与输出直波导22、输出端模式转换器21、3*1合束器20以及2*1合束器19在结构上对称放置。

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