长鑫存储技术有限公司许凯获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利测试模型的建立方法、测试方法和检测设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115760672B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111028311.5,技术领域涉及:G06T7/00;该发明授权测试模型的建立方法、测试方法和检测设备是由许凯设计研发完成,并于2021-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本测试模型的建立方法、测试方法和检测设备在说明书摘要公布了:本申请实施例涉及半导体测试领域,特别涉及一种测试模型的建立方法、测试方法和检测设备,包括:提供半导体结构,半导体结构中堆叠有N个芯片结构,芯片结构包括:半导体层以及堆叠在半导体层上的M层金属层;从M层金属层中选择一层金属层或选择半导体层作为芯片结构的预设测试层,基于预设测试层获取每个芯片结构的间隔时间;获取芯片结构的间隔时间包括:向预设测试层施加激励信号,预设测试层基于激励信号产生指示信号,在半导体结构顶部检测指示信号,获取施加激励信号至检测到指示信号的间隔时间;以激励信号的频率为第一坐标、间隔时间为第二坐标,建立芯片结构的第一子测试图像,并将每层芯片结构的第一子测试图像集成在测试图像中。
本发明授权测试模型的建立方法、测试方法和检测设备在权利要求书中公布了:1.一种测试模型的建立方法,其特征在于,包括: 提供半导体结构,所述半导体结构中堆叠有N个芯片结构,所述芯片结构包括:半导体层以及堆叠在所述半导体层上的M层金属层,所述N和所述M均为大于等于2的自然数; 从所述M层金属层中选择一层金属层或选择所述半导体层作为所述芯片结构的预设测试层,每个所述芯片结构的所述预设测试层的选择方式相同,基于所述预设测试层获取每个所述芯片结构的间隔时间; 获取所述芯片结构的所述间隔时间包括: 向所述预设测试层施加激励信号,所述预设测试层基于所述激励信号产生指示信号,在所述半导体结构顶部检测所述指示信号,获取施加所述激励信号至检测到所述指示信号的所述间隔时间; 以所述激励信号的频率为第一坐标、所述间隔时间为第二坐标,建立所述芯片结构的第一子测试图像,并将每层所述芯片结构的所述第一子测试图像集成在测试图像中; 获取第一测试图像和第二测试图像; 所述第一测试图像基于所述预设测试层为所述半导体层获取; 所述第二测试图像基于所述预设测试层为M层所述金属层中位于顶部的所述金属层获取; 基于所述第一测试图像、所述第二测试图像和对应于所述第一测试图像和所述第二测试图像的权重,获取所述测试图像; 获取第一参考时间和第二参考时间的时间差值; 所述第一参考时间为所述预设测试层为所述半导体层时的所述间隔时间; 所述第二参考时间为所述预设测试层为M层所述金属层中位于顶部的所述金属层时的所述间隔时间; 获取第一层数,所述第一层数为所述预设测试层与所述半导体层之间所述金属层的层数; 获取第二层数,所述第二层数为所述预设测试层与和M层所述金属层中位于顶部的所述金属层之间所述金属层的层数; 基于所述时间差值和所述第一层数与所述第一层数与所述第二层数和的比值,获取所述测试图像的上浮范围; 基于所述时间差值和所述第二层数与所述第一层数与所述第二层数和的比值,获取所述测试图像的下浮范围。
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