南京大学叶建东获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉南京大学申请的专利基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621327B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110792656.1，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管及其制备方法是由叶建东;胡天澄;巩贺贺;郁鑫鑫;徐阳;张贻俊;任芳芳;顾书林;张荣设计研发完成，并于2021-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管及其制备方法。该二极管的结构包括自下而上依次设置的阴极、N+衬底、JBS结构和阳极，JBS结构包括N‑漂移层、PN异质结和Ni纳米岛，其中，N‑漂移层上设有沟槽结构，位于沟槽内侧面和底部的P型金属氧化物与N‑漂移层构成PN异质结；Ni纳米岛位于沟槽的顶部，与N‑漂移层形成肖特基接触；PN异质结与肖特基接触相并联。本发明利用Ni薄膜在快速热退火下形成的自组装纳米岛代替光刻胶作为掩膜，省去了光刻的步骤，大大简化了制备工艺，不仅缩短了制备周期，而且节约了成本。
本发明授权基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管的制备方法，其特征在于，该方法的步骤为：在衬底表面蒸镀一层Ni薄膜，再进行快速热退火，利用Ni薄膜在快速热退火下形成的自组装Ni纳米岛作为金属掩膜，对N-漂移层进行刻蚀形成沟槽结构，然后在沟槽结构中生长P型金属氧化物，位于沟槽内侧面和底部的金属氧化物与所述N-漂移层形成侧向PN异质结，且该侧向PN异质结与沟槽顶部的Ni纳米岛形成的肖特基接触相并联，从而形成JBS结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京大学，其通讯地址为：210046 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励