南亚科技股份有限公司赖朝文获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体对位结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115588640B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111156983.4，技术领域涉及：H10P72/50；该发明授权半导体对位结构及其制造方法是由赖朝文;龚耀雄设计研发完成，并于2021-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体对位结构及其制造方法在说明书摘要公布了：一种对位结构的制造方法包括：提供基板及复数个导电特征，导电特征间隔排列于基板上；在基板及导电特征上共形地沉积第一堆叠层，第一堆叠层上具有复数个凹入部；在第一堆叠层上形成牺牲层，移除部分的牺牲层以形成分别位于凹入部的复数个遮盖；以遮盖作为蚀刻遮罩对第一堆叠层进行非等向性蚀刻工艺，形成复数个第一堆叠部并露出导电特征；在第一堆叠部及导电特征上共形地沉积第二堆叠层；以及对第二堆叠层执行蚀刻光刻工艺，形成分别在第一堆叠部上的复数个第二堆叠部及分别暴露导电特征的复数个对位通孔。借此，能精准地利用对位通孔将半导体元件放置到导电特征上，使得半导体元件与导电特征接触并电性连接。
本发明授权半导体对位结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体对位结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供基板及复数个导电特征，该些导电特征间隔排列于该基板上； 在该基板及该些导电特征上共形地沉积第一堆叠层，其中该第一堆叠层上具有复数个凹入部； 在该第一堆叠层上形成牺牲层，接着移除部分的该牺牲层以形成分别位于复数个凹入部的复数个遮盖； 以该些遮盖作为蚀刻遮罩对该第一堆叠层进行非等向性蚀刻工艺，进而露出该些导电特征并形成复数个第一堆叠部； 在该些第一堆叠部及该些导电特征上共形地沉积第二堆叠层；以及 对该第二堆叠层执行蚀刻光刻工艺，进而形成复数个第二堆叠部及复数个对位通孔，其中该些第二堆叠部分别位于该些第一堆叠部上方，且该些对位通孔分别暴露该些导电特征。
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