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龙图腾网获悉安捷利美维电子(厦门)有限责任公司;上海美维科技有限公司申请的专利封装基板及其制备方法和封装基板散热检测系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115551206B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211167053.3，技术领域涉及：H05K3/00；该发明授权封装基板及其制备方法和封装基板散热检测系统及方法是由罗永红;杜玲玲;李君红;查晓刚;王建彬;张军设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本封装基板及其制备方法和封装基板散热检测系统及方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种封装基板及其制备方法和封装基板散热检测系统及方法，所述封装基板的制备方法包括：S11：提供附有可解离膜的支撑板；S12：于可解离膜上采用干法制程制备第一金属块；S13：于可解离膜及第一金属块上形成第一介电层，以将第一金属块塑封，得到封装基板结构；S14：于封装基板结构表面形成第一金属种子层；S15：于第一金属种子层上形成第一金属盘及第一线路；S16：通过可解离膜去除支撑板，并反转封装基板结构；S17：于封装基板结构表面依次形成第二金属种子层及第二金属盘和第二线路。本发明相比传统工艺的手动埋铜块，可以有效地充分避免对位精度不高、基板分层、爆板等良率降低的问题，其工艺方法环保，且成本低，有利于本发明的推广。

本发明授权封装基板及其制备方法和封装基板散热检测系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种封装基板的制备方法，其特征在于，所述封装基板的制备方法包括： S11：提供附有可解离膜的支撑板； S12：于所述可解离膜上采用干法制程制备第一金属块,所述第一金属块的高度范围为5μm~80μm,横截面长×宽的范围为1mm×1mm~20mm×20mm，以起到散热的作用；所述干法制程为3D打印技术；所述3D打印技术制备所述第一金属块所用的打印材料包括导电颗粒银、铜的混合浆料或纯金属纳米浆料中的一种；在所述3D打印技术打印所述第一金属块时，同时进行打印和激光烧结，或先进行打印后，再烧结固化成型； S13：于所述可解离膜及所述第一金属块上形成第一介电层，以将所述第一金属块塑封，得到封装基板结构；其中，制备所述第一金属块的方法还包括： 首先，形成所述第一介电层时，所述第一介电层顶部高于所述第一金属块，然后于所述第一金属块上方的所述第一介电层中形成贯穿的散热孔，并填孔，形成金属化层；或在需要打印所述第一金属块的四周先形成一圈油墨栅栏，再进行所述第一金属块的打印，并去除所述油墨栅栏；或在所述可解离膜上贴干膜，然后曝光、显影，再进行所述第一金属块的打印，并去除所述干膜； S14：于所述封装基板结构表面形成第一金属种子层； S15：于所述第一金属种子层上形成第一金属盘及第一线路； S16：通过所述可解离膜去除所述支撑板，并反转所述封装基板结构； S17：于所述封装基板结构表面依次形成第二金属种子层及第二金属盘和第二线路，其中，所述第一金属种子层、所述第一金属盘及所述第一线路与所述第二金属种子层、所述第二金属盘及所述第二线路位于所述封装基板结构的相对两侧，得到所述封装基板； 当所述封装基板的高度小于预设高度的封装基板时，在步骤S15后重复进行步骤S12至S15至少一次，直至形成所述预设高度的封装基板；当多次重复进行形成所述金属块的步骤时，所述金属块的类型分为贯穿型金属块及半埋式金属块； 所述封装基板的制备方法还包括于所述封装基板上下表面进行阻焊工艺的步骤，保护所述封装基板的外层结构不被氧化。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安捷利美维电子(厦门)有限责任公司;上海美维科技有限公司，其通讯地址为：361000 福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区厦门片区嵩屿南二路99号1303室之530；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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