浙江驰拓科技有限公司郑泽杰获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利一种MRAM读取电路及其制备方法、一种电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115547382B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110741551.3，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权一种MRAM读取电路及其制备方法、一种电子设备是由郑泽杰;王跃锦;何世坤设计研发完成，并于2021-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MRAM读取电路及其制备方法、一种电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MRAM读取电路，包括MTJ单元、比较电路、参考电路；所述参考电路及所述MTJ单元设置于同一基体硅上；所述MTJ单元通过顶部金属通孔与所述顶部金属层电连接，通过底部金属通孔与所述底部金属层电连接；所述参考电路包括参考电阻及参考金属通孔；所述参考电阻与所述MTJ单元的顶部电极或底部电极设置于所述硅基体的同一待处理层，并与对应的电极材料相同；所述参考电阻通过所述参考金属通孔与所述顶部金属层或所述底部金属层电连接。本发明使所述参考电阻的可控性大大提高，参考电阻的设置精度更高。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的电子设备及MRAM读取电路的制备方法。
本发明授权一种MRAM读取电路及其制备方法、一种电子设备在权利要求书中公布了：1.一种MRAM读取电路，其特征在于，包括MTJ单元、比较电路、参考电路； 所述参考电路及所述MTJ单元设置于同一基体硅上； 所述基体硅的存储单元区从下至上依次包括底部电连接结构、所述MTJ单元及顶部电连接结构，所述MTJ单元通过所述顶部电连接结构及底部电连接结构与外部电路相连； 所述参考电路设置于所述基体硅的参考电阻区，且包括参考电阻及参考电连接结构； 所述参考电阻与所述MTJ单元的顶部电极或底部电极设置于所述基体硅的同一待处理层，并与对应的电极材料相同； 所述参考电阻通过所述参考电连接结构与外部电路相连； 所述比较电路用于根据所述MTJ单元的电阻与所述参考电路的电阻的大小关系确定所述MTJ单元的工作状态； 所述参考电阻通过单次图形化与所述MTJ单元的顶部电极或底部电极同时设置于所述基体硅的同一待处理层。
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