台湾积体电路制造股份有限公司郭民松获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115527840B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211062634.0，技术领域涉及：H10P76/00；该发明授权半导体装置及其制造方法是由郭民松;洪義凯;陈柏玮;陈仲诚设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供半导体装置及制造方法，其中在基板上方形成围栏，且在基板上方成长III‑V族材料，其中围栏阻挡III‑V族材料的成长。因此，成长较小面积的III‑V族材料，从而防止随着较大片材的成长而产生的应力。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，该方法包含： 在介于一半导体基板的一第一区域与该半导体基板的一第二区域之间沉积一围栏； 在该沉积该围栏之后在该半导体基板上成长一III-V族材料层； 利用一遮罩以遮盖该III-V族材料层； 在该成长该III-V族材料层之后，在该遮罩存在时移除该围栏以形成一第一开口；以及 在该半导体基板上方沉积材料，其中该沉积该材料至少部分地填充该第一开口。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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