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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513296B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211280913.4，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权半导体结构及其形成方法是由吴政宪;陈奕升设计研发完成，并于2017-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：结构包括：衬底，包括第一半导体材料；介电部件，嵌入在衬底中；以及第二半导体材料，嵌入在衬底中，第二半导体材料与第一半导体材料具有晶格失配，第二半导体材料具有两个上侧壁和两个下侧壁，两个上侧壁与介电部件接触，两个下侧壁与衬底接触，两个下侧壁非垂直于衬底的顶面，介电部件的最底部分低于两个下侧壁的最顶部分。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 衬底，包括第一半导体材料； 介电部件，嵌入在所述衬底中； 第二半导体材料，嵌入在所述衬底中并且设置在所述衬底的凹槽中，其中，在沿着所述凹槽的横向方向的截面图中，所述凹槽具有由所述衬底围绕的V形的V槽以及由所述介电部件围绕的矩形的R槽，所述第二半导体材料与所述第一半导体材料具有晶格失配，所述第二半导体材料具有两个上侧壁和两个下侧壁，所述两个上侧壁与所述介电部件接触并且限定所述R槽，所述两个下侧壁与所述衬底接触并且在顶点处相交，从而限定所述V槽，所述两个下侧壁非垂直于所述衬底的顶面，所述介电部件的最底部分低于所述两个下侧壁的最顶部分，其中，在沿着所述凹槽的横向方向的截面图中并且在沿着与所述凹槽的纵向方向的截面图中，所述V槽的侧壁相对于所述衬底的顶面均形成45°至59°的角度； 多个鳍，由所述第二半导体材料形成并且位于设置在同一凹槽中的所述第二半导体材料上；以及 浅沟槽隔离部件，围绕所述多个鳍的每个， 其中，所述浅沟槽隔离部件和所述介电部件围绕所述多个鳍的下部，而所述多个鳍的上部从所述浅沟槽隔离部件和所述介电部件突出，并且其中，所述介电部件从所述浅沟槽隔离部件的顶面延伸至所述浅沟槽隔离部件的底面下方的位置，并且所述浅沟槽隔离部件设置在所述介电部件所围设的横向范围内，所述第二半导体材料包括由于所述晶格失配的位错，所述位错从位于所述V槽的一侧上的侧壁产生并且在基本平行于所述衬底的顶面的方向上传播，并且终止于所述V槽的另一侧上的侧壁上，其中，所述位错限制在所述V槽中并且不传播至上面的所述R槽， 其中，形成有所述凹槽的半导体晶圆具有位于所述半导体晶圆的边缘处的凹口，从而表示[110]方向或[100]方向的第一晶向，并且其中，所述凹槽的纵向取向平行或垂直于所述第一晶向，或者所述凹槽的纵向取向相对于所述第一晶向为45°或135°的角度， 其中，所述两个上侧壁非垂直于所述衬底的顶面，并且所述两个上侧壁朝向所述两个下侧壁的最底部分的方向倾斜， 其中，在顶视图中，所述介电部件从四个侧围绕所述多个鳍下方的所述第二半导体材料，并且所述介电部件进一步由所述衬底围绕，并且其中，所述介电部件的顶面高于所述多个鳍下方的所述第二半导体材料的顶面并且与所述衬底的顶面齐平。

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