广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;中国科学院微电子研究所任宇辉获国家专利权
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龙图腾网获悉广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;中国科学院微电子研究所申请的专利半导体器件的制作方法以及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115410920B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211167385.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件的制作方法以及半导体器件是由任宇辉;亨利·H·阿达姆松;孔真真设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制作方法以及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件，该方法包括：首先，提供包括层叠的第一衬底以及第一预备衬底的第一基底，且提供包括层叠的第二衬底以及第一氧化层的第二基底；然后，去除部分第一预备衬底，剩余的第一预备衬底形成包括本体部以及间隔设置于本体部上的多个凸出部的第三衬底；之后，在第三衬底的远离第一衬底的表面上形成第二氧化层，且在第二氧化层的远离第三衬底的表面上键合第二基底，第一氧化层与第二氧化层接触；之后，去除键合后结构的第一衬底以及第三衬底的本体部和或部分凸出部，得到预备结构；最后，在预备结构中的第二氧化层的裸露表面上形成器件结构，得到目标结构。保证了半导体器件的性能较好。
本发明授权半导体器件的制作方法以及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括： 提供第一基底以及第二基底，所述第一基底包括层叠的第一衬底以及第一预备衬底，所述第二基底包括层叠的第二衬底以及第一氧化层； 去除部分所述第一预备衬底，剩余的所述第一预备衬底形成第三衬底，所述第三衬底包括本体部以及间隔设置于所述本体部上的多个凸出部，所述第三衬底的材料包括锗； 在所述第三衬底的远离所述第一衬底的表面上形成第二氧化层，且在所述第二氧化层的远离所述第三衬底的表面上键合所述第二基底，所述第一氧化层与所述第二氧化层接触； 去除键合后结构的所述第一衬底以及所述第三衬底的所述本体部，或去除键合后结构的所述第一衬底以及所述第三衬底的所述本体部和部分所述凸出部，得到预备结构，剩余的多个所述凸出部形成多个目标凸出部； 在所述预备结构中的所述第二氧化层的裸露表面上形成器件结构，得到目标结构，所述器件结构与所述目标凸出部接触。
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