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龙图腾网获悉芯盟科技有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295550B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210910229.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由华文宇;丁潇设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，包括若干沿第一方向排布的有源区和第一隔离层；位于衬底内的若干组凹槽结构，若干凹槽结构沿第三方向排布且沿第一方向贯穿若干有源区，第三方向与第二方向相互垂直，凹槽结构包括：平行排列的第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽，所述第三方向与第一方向呈锐角夹角；位于第一凹槽内的伪栅极结构；位于第二凹槽内的第一字线栅极结构；位于第三凹槽内的第二字线栅极结构；位于第一字线栅极结构和第二字线栅极结构之间的第二隔离层，第二隔离层沿第一方向贯穿若干有源区；位于衬底第一面上的若干电容结构；位于衬底第二面上平行于第三方向且沿第一方向排布的若干位线。所述半导体结构的形成工艺得到简化。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干沿第一方向排布的有源区和第一隔离层，所述第一隔离层位于相邻有源区之间，各有源区在所述第一面或所述第二面的投影图形为长条形，且所述长条形具有相互平行的两条长边，所述长边方向平行于第二方向； 位于所述衬底内的若干组凹槽结构，所述凹槽结构自第一面向第二面延伸，所述若干凹槽结构沿第三方向排布，且所述凹槽结构沿第一方向贯穿若干有源区，所述第三方向与所述第一方向相互垂直，所述凹槽结构包括：沿第三方向平行排列的第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽，所述第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽之间相互分立，所述第三方向与所述第二方向呈锐角夹角； 位于第一凹槽内的伪栅极结构； 位于第二凹槽内的第一字线栅极结构； 位于第三凹槽内的第二字线栅极结构，相邻第一字线栅极结构和第二字线栅极结构之间的间距小于相邻伪栅极结构和第一字线栅极结构之间的间距； 位于第一字线栅极结构和第二字线栅极结构之间的第二隔离层，所述第二隔离层沿第一方向贯穿若干有源区，所述第一字线栅极结构和第二字线栅极结构分别与所述第二隔离层相邻且接触； 位于衬底第一面上的若干电容结构，若干所述电容结构与对应的有源区电连接，所述电容结构位于所述伪栅极结构两侧的有源区上； 位于衬底第二面上的若干位线，所述位线平行于第三方向且沿第一方向排布，各条所述位线与若干有源区电连接。

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