北京北方华创微电子装备有限公司李凯获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺方法及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241034B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210902215.7，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权半导体工艺方法及半导体工艺设备是由李凯;白帆;王晓丹;曹广岳;李一曼;马兵设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺方法及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体工艺方法及半导体工艺设备，属于半导体工艺技术。该半导体工艺方法包括以下步骤：在工艺腔室对晶圆进行相应的半导体工艺处理的过程中，监测工艺腔室是否处于闲置状态；若监测到工艺腔室处于闲置状态，则每间隔预设时间，对工艺腔室进行一次腔室预处理操作，腔室预处理操作包括将工艺腔室的室内温度控制在预设温度值，及向工艺腔室中通入工艺气体，并电离工艺气体形成等离子体，其中，工艺气体包括氮元素，且不含氟元素。本技术方案，可在半导体工艺处理过程中，有效延缓工艺腔室中承载装置的陶瓷层的表面电阻的降低速度，进而提高该承载装置的使用寿命。
本发明授权半导体工艺方法及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺方法，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括工艺腔室，其特征在于，包括以下步骤： 在所述工艺腔室对晶圆进行相应的半导体工艺处理的过程中，监测所述工艺腔室是否处于闲置状态； 若监测到所述工艺腔室处于闲置状态，则每间隔预设时间，对所述工艺腔室进行一次腔室预处理操作，所述腔室预处理操作包括将所述工艺腔室的室内温度控制在预设温度值，及向所述工艺腔室中通入工艺气体，并电离所述工艺气体形成等离子体，以与承载装置的陶瓷层表面的聚合物发生化学反应，并生成电阻率更高的新聚合物，以提升所述承载装置对所述晶圆的吸附力，其中，所述工艺气体包括氮元素，且不含氟元素，所述承载装置的表面为氧化铝材质。
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