买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉杰创半导体(苏州)有限公司申请的专利倒装VCSEL芯片结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115133401B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210751501.8，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权倒装VCSEL芯片结构及其制作方法是由祝进田设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本倒装VCSEL芯片结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种倒装VCSEL芯片结构及其制作方法，结构包括衬底、第一布拉格反射镜层、量子阱层、第二布拉格反射镜层以及介质膜层。衬底具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面上形成有聚焦功能的微透镜结构；第一布拉格反射镜层设置于衬底的第二表面上；量子阱层设置于第一布拉格反射镜层背离衬底的一侧；第二布拉格反射镜层设置于量子阱层背离第一布拉格反射镜层的一侧；介质膜层覆盖第二布拉格反射镜层、量子阱层和第一布拉格反射镜层的侧壁以及延伸至衬底的第二表面，且介质膜层部分覆盖第二布拉格反射镜层背离量子阱层一侧的表面。本发明的倒装VCSEL芯片结构，其自带具有聚焦功能的微透镜结构，简化了VCSEL芯片的封装工艺。

本发明授权倒装VCSEL芯片结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装VCSEL芯片结构，其特征在于，包括： 衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面上形成有聚焦功能的微透镜结构；所述微透镜结构的表面蒸镀有AR增透膜； 第一布拉格反射镜层，设置于所述衬底的第二表面上； 量子阱层，设置于所述第一布拉格反射镜层背离所述衬底的一侧； 第二布拉格反射镜层，设置于所述量子阱层背离所述第一布拉格反射镜层的一侧，所述第二布拉格反射镜层的对数大于所述第一布拉格反射镜层的对数； 介质膜层，覆盖所述第二布拉格反射镜层、所述量子阱层和所述第一布拉格反射镜层的侧壁以及延伸至所述衬底的第二表面，且所述介质膜层部分覆盖所述第二布拉格反射镜层背离所述量子阱层一侧的表面； 第一电极，设置于所述第二布拉格反射镜层背离所述量子阱层的表面上； 第二电极，设置于所述衬底的第二表面上且自所述衬底的第二表面延伸至所述介质膜层背离所述第二布拉格反射镜层的表面，所述第二电极与所述第一电极之间电隔离，且所述第二电极与所述第一电极位于同一平面上； 所述第一布拉格反射镜层背离所述衬底的一侧表面上设置有高铝氧化层，所述高铝氧化层上贯穿形成有与所述微透镜结构相对应的窗口区。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杰创半导体(苏州)有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号纳米城西北区20幢405、406室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。