长鑫存储技术有限公司刘佑铭获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020473B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210601541.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构及其制备方法是由刘佑铭设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底，基底上具有多个间隔排布的半导体柱，半导体柱包括沿远离基底表面方向依次分布的第一源漏区、第一沟道区、第二沟道区以及第二源漏区；栅介质层，栅介质层环绕第一沟道区的半导体柱侧面；多条沿第一方向延伸的字线，每条字线环绕多个沿第一方向排布的半导体柱，字线环绕半导体柱中的第一沟道区以及第二沟道区，字线与第一沟道区的半导体柱之间具有栅介质层，字线与第二沟道区的半导体柱之间具有空气间隙。本公开实施例至少有利于降低半导体结构的栅诱导漏极泄漏电流。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底上具有多个间隔排布的半导体柱，所述半导体柱包括沿远离所述基底表面方向依次分布的第一源漏区、第一沟道区、第二沟道区以及第二源漏区； 栅介质层，所述栅介质层环绕所述第一沟道区的所述半导体柱侧面； 多条沿第一方向延伸的字线，每条所述字线环绕多个沿第一方向排布的所述半导体柱，所述字线环绕所述半导体柱中的所述第一沟道区以及所述第二沟道区，所述字线与所述第一沟道区的所述半导体柱之间具有所述栅介质层，所述字线与所述第二沟道区的所述半导体柱之间具有空气间隙； 其中，所述字线包括：第一导电层，所述第一导电层环绕所述第一沟道区的所述半导体柱；第二导电层，所述第二导电层位于所述第一导电层表面，且环绕所述第二沟道区的所述半导体柱，且所述第二导电层的材料与所述第一导电层的材料不同； 所述第一导电层底面与所述栅介质层底面齐平，且所述第一导电层露出部分高度的所述栅介质层侧面；所述第二导电层还位于所述第一导电层露出的部分高度的所述栅介质层侧面。
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