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龙图腾网获悉刘林启申请的专利一种Micro LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114937726B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210643693.0，技术领域涉及：H10H20/83；该发明授权一种Micro LED芯片及其制作方法是由王斌飞;刘林启设计研发完成，并于2022-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Micro LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种MicroLED芯片及其制作方法，属于半导体技术领域，包括DBR反射层，位于DBR反射层之上的外延结构，位于外延结构之上的电流阻挡层，位于外延结构和电流阻挡层之上的透明导电层，位于透明导电层之上的扩展电极，位于DBR反射层、外延结构、电流阻挡层、透明导电层和扩展电极之上的绝缘保护层，位于外延结构、扩展电极和绝缘保护层之上的焊接电极，从而提供了一种新型的芯片结构，采用正装芯片结构，且正负焊接电极等高，对MicroLED芯片结构进行了扩展。

本发明授权一种Micro LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种MicroLED芯片，其特征在于，所述芯片包括DBR反射层、外延结构、第一电流阻挡层、第二电流阻挡层、透明导电层、第一扩展电极、第二扩展电极、绝缘保护层、第一焊接电极和第二焊接电极； 所述外延结构设置于所述DBR反射层上；所述外延结构相对于所述DBR反射层上表面所在的水平方向的夹角呈锐角，角度为85-20°； 所述第一电流阻挡层和所述第二电流阻挡层设置于所述外延结构上，并处于所述外延结构的两端； 所述透明导电层设置于所述第一电流阻挡层、所述第二电流阻挡层和位于所述第一电流阻挡层和所述第二电流阻挡层之间的所述外延结构上； 所述第一扩展电极和所述第二扩展电极间隔设置于所述透明导电层上； 所述绝缘保护层包覆由所述外延结构、所述第一电流阻挡层、所述第二电流阻挡层、所述透明导电层、所述第一扩展电极和所述第二扩展电极组成的结构的外表面，并与所述DBR反射层的未与所述外延结构相接触的上表面相接触； 所述绝缘保护层上预留有第一开口和第二开口；所述第一焊接电极设置于所述绝缘保护层上，并通过所述第一开口与所述第一扩展电极电连接；所述第二焊接电极设置于所述绝缘保护层上，并通过所述第二开口与所述外延结构电连接； 在所述DBR反射层的投影方向上，所述第一电流阻挡层、所述第一扩展电极和所述第一焊接电极相对应，所述第二电流阻挡层、所述第二扩展电极和所述第二焊接电极相对应。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人刘林启，其通讯地址为：115200 辽宁省盖州市青石岭镇必家屯村5号13；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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