珠海越亚半导体股份有限公司陈先明获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海越亚半导体股份有限公司申请的专利封装基板的制作方法及封装基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114900960B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210377565.6，技术领域涉及：H05K3/00；该发明授权封装基板的制作方法及封装基板是由陈先明;林文健;黄高;黄本霞;黄聚尘;冯进东设计研发完成，并于2022-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装基板的制作方法及封装基板在说明书摘要公布了：本发明公开了一种封装基板的制作方法及封装基板，涉及半导体封装技术领域。该方法包括以下步骤：准备双面覆铜的基板；对基板进行激光钻孔，形成通孔；对基板进行填孔电镀，以使通孔内形成实心铜柱；在实心铜柱的两端分别形成导通铜柱；蚀刻基板表面的铜箔；在基板的双面设置第一介质层，并使导通铜柱的端面暴露，以形成芯板。根据本发明实施例的封装基板的制作方法，能够形成高介厚、具有实心导通孔的芯板，解决了现有厚芯板非实心导通孔的工艺缺陷，改善了现有工艺中孔密度受限、以及非实心导通孔应力差等问题。
本发明授权封装基板的制作方法及封装基板在权利要求书中公布了：1.一种封装基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 准备双面覆铜的基板； 对所述基板进行激光钻孔，形成通孔； 在所述通孔的孔壁上沉积化学铜； 在所述基板的双面贴第一干膜； 对所述第一干膜进行曝光和显影，以将所述通孔对应的位置暴露； 对所述基板进行填孔电镀，以使所述通孔内形成实心铜柱； 在所述基板的双面贴第二干膜； 对所述第二干膜进行曝光和显影，以将导通铜柱对应的位置暴露； 对所述基板进行电镀，以在所述实心铜柱的两端形成所述导通铜柱； 褪去所述第一干膜和所述第二干膜； 蚀刻所述基板表面的铜箔； 在所述基板的双面设置第一介质层，并使所述导通铜柱的端面暴露，以形成芯板； 所述对所述基板进行激光钻孔，形成通孔，具体包括： 对所述基板的双面进行激光对钻，形成由两端向中部逐渐变窄的所述通孔。
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