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龙图腾网获悉聚灿光电科技股份有限公司申请的专利一种LED外延片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114824016B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210473261.X，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种LED外延片及其制造方法是由王文君;江汉;黎国昌;徐洋洋;程虎;苑树伟设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED外延片及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种LED外延片及其制造方法，LED外延片的N型GaN层包括N_SL层和N_Bulk层。N_SL层包括第一N_SL层和第二N_SL层，第一N_SL层和第二N_SL层从下至上依次循环设置，N_Bulk层包括第一N_Bulk层和第二N_Bulk层。N_SL层和N_Bulk层等效形成多个电容结构，不同浓度的硅掺杂度增强电流扩散，提升LED外延片的抗静电能力。N_SL层和N_Bulk层结构设置降低生长量子阱发光层位错密度，提升量子阱发光层晶格质量。本申请提供的LED外延片在制造过程中，MOCVD设备的SiH4阀组不需要较高的开关频率，提高SiH4阀组的使用寿命，降低生产成本。

本发明授权一种LED外延片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种LED外延片，包括依次叠层设置的衬底、缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、量子阱发光层、P型电子阻挡层和P型GaN层，其特征在于，所述N型GaN层包括：N_SL层和设置于所述N_SL层上的N_Bulk层，所述N_SL层和所述N_Bulk层等效形成多个电容结构，通过所述电容两端的电势差加快电子传输速率，以提高所述量子阱发光层的电子浓度，以及逐级减小与所述U型GaN层的晶格失配，降低所述量子阱发光层的位错密度；所述N_SL层的厚度小于所述N_Bulk层的厚度； 所述N_SL层包括若干个第一N_SL层和若干个第二N_SL层；所述N_Bulk层包括第一N_Bulk层和设置在所述第一N_Bulk层上的第二N_Bulk层； 所述第一N_SL层的硅掺杂浓度小于所述第二N_SL层的硅掺杂浓度；所述第一N_Bulk层的硅掺杂浓度大于所述第二N_Bulk层的硅掺杂浓度；所述第一N_SL层的硅掺杂浓度小于所述第二N_Bulk层的硅掺杂浓度； 所述第一N_SL层和所述第二N_SL层从下至上依次循环设置，循环次数在10～20之间。

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