长鑫存储技术有限公司李德斌获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114759094B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210459333.5，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体结构及制备方法是由李德斌设计研发完成，并于2022-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及制备方法，半导体结构包括：基底，基底包括有源区；沟道层，沟道层位于有源区的基底表面；栅极结构，栅极结构位于沟道层表面；阻挡层，阻挡层位于有源区的基底表面，阻挡层的侧面与沟道层的侧面接触，沟道层的材料的晶格常数大于阻挡层和基底的材料的晶格常数。本公开实施例提供的半导体结构至少可以预防沟道层出现应力弛豫现象。
本发明授权半导体结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括有源区； 沟道层，所述沟道层位于所述有源区的基底表面； 栅极结构，所述栅极结构位于所述沟道层表面； 阻挡层，所述阻挡层位于所述有源区的基底表面，所述阻挡层的侧面与所述沟道层的侧面接触，所述沟道层的材料的晶格常数大于所述阻挡层和所述基底的材料的晶格常数； 其中，所述阻挡层远离所述基底的顶面高于所述沟道层远离所述基底的顶面；所述阻挡层的顶面与所述沟道层的顶面的高度差为10Å~100Å； 所述阻挡层的底面低于所述沟道层的底面；所述阻挡层的底面与所述沟道层的底面的高度差为3nm~5nm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励