美光科技公司S·K·米拉瓦拉普获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利动态随机存取存储器(DRAM)中的奇偶校验数据获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114724616B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111562511.9，技术领域涉及：G11C29/42；该发明授权动态随机存取存储器(DRAM)中的奇偶校验数据是由S·K·米拉瓦拉普;T·A·马夸特设计研发完成，并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本动态随机存取存储器(DRAM)中的奇偶校验数据在说明书摘要公布了：本公开描述涉及在动态随机存取存储器DRAM中存储奇偶校验数据的方法、装置及系统。在一实例中，方法可包含在控制器处基于排队等待写入到非易失性存储器装置的用户数据而产生奇偶校验数据，在DRAM装置处从所述控制器接收所述奇偶校验数据且将所述奇偶校验数据写入到所述DRAM装置，在非易失性存储器装置处从所述控制器接收所述用户数据且将所述用户数据写入到所述非易失性存储器装置，经由所述控制器从所述非易失性存储器装置读取所述用户数据，及在所述控制器处从所述DRAM装置接收所述奇偶校验数据。
本发明授权动态随机存取存储器(DRAM)中的奇偶校验数据在权利要求书中公布了：1.一种用于管理动态随机存取存储器DRAM222中的奇偶校验数据226的方法，其包括： 在控制器114、214处基于排队等待写入到耦合到所述控制器的非易失性存储器装置220的用户数据224而产生所述奇偶校验数据； 在所述DRAM处从所述控制器接收所述奇偶校验数据且将所述奇偶校验数据写入到所述DRAM； 在所述非易失性存储器装置处从所述控制器接收所述用户数据且将所述用户数据写入到所述非易失性存储器装置； 经由所述控制器从所述非易失性存储器装置读取所述用户数据； 在所述控制器处从所述DRAM接收所述奇偶校验数据；及 在所述控制器处在一个时钟循环中重建所述用户数据。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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