广州华星光电半导体显示技术有限公司江志雄获国家专利权
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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695560B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210272090.4，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板是由江志雄设计研发完成，并于2022-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板在说明书摘要公布了：本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板。薄膜晶体管包括衬底以及在衬底上依次形成的第一栅极、栅极绝缘层、半导体层、源漏极层、钝化层，在钝化层上形成有吸光导电层，吸光导电层形成有第二栅极，第二栅极位于半导体层的上方，吸光导电层的材料包括氧化铈与氧化钼。氧化铈与氧化钼具有较高的吸光性能，能吸收高能短波长的光线；本发明中第二栅极的材料采用氧化铈与氧化钼，可以有效的吸收高能短波长的光线，防止光照对半导体层的影响；同时氧化铈与氧化钼具有较好的导电性和透明度，不会对薄膜晶体管的导电性和透明度造成影响；因此本发明的第二栅极的材料采用氧化铈与氧化钼，可以保持半导体层稳定正常的工作。
本发明授权一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，包括衬底以及在所述衬底上依次形成的第一栅极、栅极绝缘层、半导体层、源漏极层、钝化层，其特征在于，在所述钝化层上形成有吸光导电层，所述吸光导电层形成有第二栅极，所述第二栅极位于所述半导体层的上方，所述吸光导电层的材料包括氧化铈与氧化钼，所述吸光导电层的材料中，氧化铈与氧化钼的比例值的范围为0.8至0.2。
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