中国科学院微电子研究所邢国忠获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种SOT-MRAM存储单元、存储阵列、存储器及操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664345B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210200790.2，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权一种SOT-MRAM存储单元、存储阵列、存储器及操作方法是由邢国忠;刘龙;赵雪峰;王迪;林淮;张昊;王紫崴设计研发完成，并于2022-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SOT-MRAM存储单元、存储阵列、存储器及操作方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种SOT‑MRAM存储单元，包括：底电极；磁隧道结层，位于底电极上；轨道霍尔效应层，位于磁隧道结层上；第一晶体管，其漏极与轨道霍尔效应层连接；以及第二晶体管，其漏极与底电极连接。本公开还提供了一种SOT‑MRAM存储器、操作方法、SOT‑MRAM存储阵列。
本发明授权一种SOT-MRAM存储单元、存储阵列、存储器及操作方法在权利要求书中公布了：1.一种SOT-MRAM存储单元，其特征在于，包括： 底电极； 磁隧道结层，位于所述底电极上； 轨道霍尔效应层，位于所述磁隧道结层上； 重金属层，位于所述磁隧道结层与所述轨道霍尔效应层之间； 第一晶体管，其漏极与所述轨道霍尔效应层连接；以及 第二晶体管，其漏极与所述底电极连接； 其中，所述轨道霍尔效应层和所述重金属层被配置为通过写电流，所述轨道霍尔效应层用于通过轨道霍尔效应将所述写电流转化为轨道极化的轨道流，所述重金属层用于通过自旋轨道耦合将所述写电流转化为自旋极化的自旋流，且扩散进入所述重金属层的所述轨道流在所述重金属层的强自旋轨道耦合作用下被转化为自旋流，所述重金属层产生的自旋流与所述轨道流转化形成的自旋流极性相反，形成竞争自旋流，该竞争自旋流用于实现无外加磁场辅助的确定性磁化翻转。
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