南方科技大学罗光富获国家专利权
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龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利一种调控宽禁带半导体材料缺陷及掺杂特性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639596B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210223599.X，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权一种调控宽禁带半导体材料缺陷及掺杂特性的方法是由罗光富;刘凯设计研发完成，并于2020-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种调控宽禁带半导体材料缺陷及掺杂特性的方法在说明书摘要公布了：为克服现有宽禁带半导体材料存在大量自发缺陷，难以获得本征半导体以及难以实现反型掺杂的问题，本发明公开了一种通过外加电压，可控地提高自发缺陷的形成能，同时降低反型掺杂缺陷的形成能，实现本征宽禁带半导体材料制备与反型掺杂的方法。该方法包括以下操作步骤：在生长本征宽禁带半导体材料以及反型掺杂过程中，给自发形成N型导电的宽禁带半导体材料施加正偏压，给自发形成P型导电的宽禁带半导体材料施加负偏压。本发明同时公开了上述方法在制备本征氧化锌以及P型掺杂氧化锌中的应用。
本发明授权一种调控宽禁带半导体材料缺陷及掺杂特性的方法在权利要求书中公布了：1.一种调控宽禁带半导体材料缺陷及掺杂特性的方法，其特征在于：所述宽禁带半导体材料为ZnO材料，通过水热法、熔融法或分子束外延生长方式，在氧化锌的生成区域施加制备偏压，在电极施加的制备偏压下生长所述宽禁带半导体材料，所述制备偏压为1~3伏； 在所述宽禁带半导体材料的一侧表面覆盖外电极，通过所述外电极向所述宽禁带半导体材料施加掺杂偏压，在另一侧表面进行反型掺杂处理，所述掺杂偏压为1~3伏。
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