中国科学院半导体研究所陈振宇获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利制备InGaN量子点的方法、InGaN量子点、外延结构及光电器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628554B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210254828.4，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权制备InGaN量子点的方法、InGaN量子点、外延结构及光电器件是由陈振宇;赵德刚;梁锋;刘宗顺;陈平;杨静设计研发完成，并于2022-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本制备InGaN量子点的方法、InGaN量子点、外延结构及光电器件在说明书摘要公布了：本公开提供了一种制备InGaN量子点的方法、InGaN量子点、外延结构及光电器件。方法包括：第一温度下，在衬底上生长GaN缓冲层；将第一温度升至第二温度，并在第二温度下，在GaN缓冲层上生长非掺杂GaN层；将第二温度降低至设定温度，在非掺杂GaN层上生长InGaN量子阱层；在设定温度下，通入NH3，持续生长反应至第一时间，在InGaN量子阱层上获得InGaN量子点，其中，通入NH3流量为1～10slm。通过NH3流量改变获得不同直径不同密度的InGaN量子点，进一步优化了InGaN量子点的发光性能，包括发光波长以及发光强度，推进了InGaN量子点在InGaN基光电器件中的应用。
本发明授权制备InGaN量子点的方法、InGaN量子点、外延结构及光电器件在权利要求书中公布了：1.一种制备InGaN量子点的方法，其特征在于，包括： 第一温度下，在衬底上生长GaN缓冲层； 将所述第一温度升至第二温度，并在所述第二温度下，在所述GaN缓冲层上生长非掺杂GaN层； 将所述第二温度降低至设定温度，在所述非掺杂GaN层上生长InGaN量子阱层； 在所述设定温度下，通入NH3，持续生长反应至第一时间，在所述InGaN量子阱层上获得InGaN量子点，其中，所述通入NH3流量为1~10slm；随着NH3流量的变化，InGaN量子点的直径调控范围为10~50nm，InGaN量子点的密度调控范围为1×1010cm-2至1×1011cm-2； 其中，所述设定温度为600~700℃；所述InGaN量子阱层的厚度为1~5nm；所述InGaN量子阱层的材料为InxGa1-xN，其中In组分x为25%~50%连续可调。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院半导体研究所，其通讯地址为：100083 北京市海淀区清华东路甲35号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励