台湾积体电路制造股份有限公司赖盈妤获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496918B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210072996.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权集成电路结构及其形成方法是由赖盈妤;林志轩;陈玺中;廖志腾设计研发完成，并于2022-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路结构及其形成方法在说明书摘要公布了：形成集成电路结构的方法包括形成晶体管的源极漏极区，在源极漏极区上方形成第一层间电介质，以及在源极漏极区上方形成下部源极漏极接触插塞，并且下部源极漏极接触插塞电耦合至源极漏极区。下部源极漏极接触插塞延伸至第一层间电介质中。方法还包括在第一层间电介质和下部源极漏极接触插塞上方沉积蚀刻停止层，在蚀刻停止层上方沉积第二层间电介质；以及执行刻蚀工艺以蚀刻第二层间电介质、蚀刻停止层和第一层间电介质的上部来形成开口，并且下部源极漏极接触插塞的顶表面和侧壁暴露至开口；以及在开口中形成上部接触插塞。本发明的实施例还涉及集成电路结构以及另一种一种集成电路结构。
本发明授权集成电路结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成集成电路结构的方法，包括： 形成晶体管的源极漏极区； 在所述源极漏极区上方形成第一层间电介质； 在所述源极漏极区上方形成下部源极漏极接触插塞，并且所述下部源极漏极接触插塞电耦合至所述源极漏极区，其中，所述下部源极漏极接触插塞延伸至所述第一层间电介质中，并且其中所述下部源极漏极接触插塞包括： 扩散阻挡件；以及 金属材料，在所述扩散阻挡件上； 在所述第一层间电介质和所述下部源极漏极接触插塞上方沉积蚀刻停止层； 在所述蚀刻停止层上方沉积第二层间电介质； 执行刻蚀工艺以蚀刻所述第二层间电介质、所述蚀刻停止层和所述第一层间电介质的上部来形成开口，并且所述下部源极漏极接触插塞的顶表面和侧壁暴露至所述开口，其中，在所述蚀刻工艺期间，蚀刻所述扩散阻挡件的部分以暴露所述金属材料的垂直侧壁；以及 在所述开口中形成上部接触插塞，所述上部接触插塞接触所述金属材料的所述垂直侧壁。
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