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龙图腾网获悉合肥君正科技有限公司申请的专利一种IPC监控芯片的SiP封装设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496815B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011160682.4，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权一种IPC监控芯片的SiP封装设计方法是由丁海松设计研发完成，并于2020-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种IPC监控芯片的SiP封装设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种IPC监控芯片的SiP封装设计方法，充分利用die在封装里的布局及调整主控dieDDRPHY接口信号分布顺序，省去RDL，势必可以降低IPC监控芯片生产制作成本，使得在市场推广中有更高性价比，更有竞争力。所述方法包括以下步骤：S1，确定芯片SiP内存die的规格；S2，收集内存die上信号各焊点图位置信息；S3，根据S2收集的信息在主控die后端设计时调整主控die内存PHY接口焊点位置，使主控dieDDR内存PHY接口焊点位置和内存die的接口焊点顺序保持一致；S4，将主控die和内存die在基板上放置在同一水平，通过键合线实现主控die内存PHY一一映射打线到内存die。

本发明授权一种IPC监控芯片的SiP封装设计方法在权利要求书中公布了：1.一种IPC监控芯片的SiP封装设计方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： S1，确定芯片SiP内存die4的规格； S2，收集内存die4上信号各焊点图位置信息；所述的内存die上信号各焊点图位置为接口焊点7包括A0、A1、A2、A3、A4、A5、A6焊点位置； S3，根据S2收集的信息在主控die1后端设计时调整主控die内存PHY接口焊点8位置，使主控die内存PHY接口焊点8和内存die的接口焊点7顺序保持一致；所述的主控die内存PHY接口焊点8包括a0、a1、a2、a3、a4、a5、a6焊点位置； S4，将主控die1和内存die4在基板上放置在同一水平，通过键合线3实现主控die内存PHY一一映射打线到内存die，即利用die在封装里的布局及调整主控die内存PHY接口信号分布顺序，使主控die和内存die的信号焊点一一映射对应，使得两者通过键合线直接打线互连，从而省去RDL层。

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