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龙图腾网获悉上海谙邦半导体设备有限公司申请的专利一种用于半导体器件制造的设备平台及其工作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284190B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111600607.X，技术领域涉及：H10P72/30；该发明授权一种用于半导体器件制造的设备平台及其工作方法是由张朋兵;陈世名设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于半导体器件制造的设备平台及其工作方法在说明书摘要公布了：一种新型的用于半导体器件制造的设备平台及其工作方法，设备平台包括：传送腔组，所述传送腔组包括多个传送腔；围绕所述传送腔组的侧部周围排布的缓冲腔组和工艺腔组，所述工艺腔组包括围绕所述传送腔组的部分侧部排布的多个工艺腔，所述缓冲腔组包括多个缓冲腔，所述缓冲腔分别位于所述传送腔组的侧部。所述设备平台的输出能力得到提高。

本发明授权一种用于半导体器件制造的设备平台及其工作方法在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体器件制造的团簇型设备平台，其特征在于，包括： 传送腔组，所述传送腔组包括多个传送腔； 围绕所述传送腔组的侧部周围排布的缓冲腔组和工艺腔组，所述工艺腔组包括围绕所述传送腔组的部分侧部排布的多个工艺腔，所述缓冲腔组包括多个缓冲腔，所述缓冲腔分别位于所述传送腔组的侧部； 所述传送腔组包括第一传送腔至第N传送腔，N为大于或等于2的整数；所述缓冲腔组包括第一缓冲腔至第N缓冲腔，第j缓冲腔位于第j传送腔的侧部，j为大于或等于1且小于或等于N的整数； 所述传送腔组和所述缓冲腔组沿着第一方向排布；第一传送腔至第N传送腔沿着第二方向排布；所述第一缓冲腔至第N缓冲腔沿着第二方向排布；所述第二方向垂直于所述第一方向； 所述传送腔组具有沿着第一方向上相对的第一侧和第二侧、以及沿着第二方向上相对的第三侧和第四侧；所述多个工艺腔包括第一工艺腔至第N+2工艺腔；所述缓冲腔组位于所述传送腔组的第一侧，第一工艺腔至第N工艺腔位于所述传送腔组的第二侧，第N+1工艺腔位于所述传送腔组的第三侧，第N+2工艺腔位于所述传送腔组的第四侧；第j传送腔位于第j缓冲腔和第j工艺腔之间； 第一缓冲腔、第一传送腔和第一工艺腔构成第一对晶圆的独立传送通道；第一缓冲腔、第一传送腔和第N+1工艺腔构成第N+1对晶圆的独立传送通道；第N缓冲腔、第N传送腔和第N工艺腔构成第N对晶圆的独立传送通道；第N缓冲腔、第N传送腔和第N+2工艺腔构成第N+2对晶圆的独立传送通道； 其中，采用所述多个传送腔同步且独立地将若干对晶圆在对应缓冲腔和工艺腔之间传送。

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