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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利研磨装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114248196B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111061537.5，技术领域涉及：B24B37/10；该发明授权研磨装置是由山中聪设计研发完成，并于2021-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本研磨装置在说明书摘要公布了：本发明提供研磨装置，其缩短研磨时间且使晶片的面内厚度均匀。研磨装置1具有：利用保持面502来保持晶片90的卡盘工作台50；使卡盘工作台移动至能够对所保持的晶片进行研磨的位置的滑动器59；和控制单元19，并具有：将具有至少覆盖晶片的上表面的面积的下表面的第1研磨垫306配置于第1主轴的下端的第1研磨单元30；和将具有直径比晶片的直径小的下表面的第2研磨垫326配置于第2主轴的下端的第2研磨单元32，控制单元进行控制，利用第1研磨垫对保持面所保持的晶片进行研磨，利用第2研磨垫对利用第1研磨垫进行了研磨的晶片的半径区域的规定的部位进行研磨。

本发明授权研磨装置在权利要求书中公布了：1.一种研磨装置，其具有： 卡盘工作台，其利用保持面对晶片进行保持； 工作台旋转单元，其使该卡盘工作台旋转； 研磨单元，其将对晶片进行研磨的研磨垫配置于主轴的下端并利用该研磨垫的下表面对晶片进行研磨； 滑动器，其使该卡盘工作台以轴向为铅垂方向的旋转轴为中心旋转至、或者在水平方向上呈直线状移动至该研磨单元能够对该保持面所保持的晶片进行研磨的研磨位置；以及 控制单元， 其中， 该研磨单元具有： 第1研磨单元，其将具有至少覆盖晶片的整个上表面的面积的下表面的第1研磨垫配置于第1主轴的下端； 第2研磨单元，其将具有直径比晶片的直径小的下表面的第2研磨垫配置于第2主轴的下端； 水平移动单元，其使该第2研磨单元在水平方向上移动； 第3研磨单元，其将由比晶片的半径小且能够围绕该第2研磨垫的大小的直径构成的第3研磨垫配置于第3主轴的下端； X轴移动单元，其使该第3研磨单元在水平方向上移动；以及 厚度测量器，其对利用该第1研磨垫进行了研磨并且保持于该保持面上的晶片的厚度进行测量， 该控制单元进行如下的控制： 使该卡盘工作台移动至该第1研磨垫的下方而利用该第1研磨垫对该保持面所保持的晶片进行研磨； 利用该厚度测量器在从晶片的中心到外周缘之间的弧状或直线状的半径区域中测量晶片的多个厚度值； 利用根据由该厚度测量器测量出的晶片的多个厚度值并通过该X轴移动单元定位于以晶片的中心为中心的俯视圆环状的、厚度比其他部位大而具有厚度差的部位的该第3研磨垫，以进行描摹的方式研磨；以及 利用根据由该厚度测量器测量出的晶片的多个厚度值并通过该水平移动单元定位于以该晶片的中心为中心的俯视圆环状的、厚度比其他部位大而具有厚度差的部位的该第2研磨垫，进行精研磨。

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