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龙图腾网获悉IMEC 非营利协会申请的专利用于确定二维材料器件中的电流密度的空间分布的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113917218B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110716182.2，技术领域涉及：G01R19/08；该发明授权用于确定二维材料器件中的电流密度的空间分布的方法是由S·K·萨塔设计研发完成，并于2021-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于确定二维材料器件中的电流密度的空间分布的方法在说明书摘要公布了：根据本发明，确定电子器件中的电流密度分布，该电子器件包括第一和第二电极以及在该第一和第二电极之间延伸的二维导电材料层。当该器件在操作中时测量经过电极的总电流，并且然后将第一电流测量探针放置在尽可能接近该二维材料和第一电极之间的界面的多个位置。该探针被耦合到与第一电极相同的电压，由此局部地对电流进行分流。在该通道与该第二电极之间的界面处完成相同的操作。以此方式为电流确定边界条件，并且假定电流密度向量正交于所述界面，这产生所述电流密度向量的边界条件。最后，在将所述边界条件纳入考虑的情况下对连续性方程求解。

本发明授权用于确定二维材料器件中的电流密度的空间分布的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于确定微电子器件中的电流密度分布的方法，所述微电子器件包括第一电极和第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间延伸的二维导电材料层，所述方法包括以下步骤，这些步骤在所述器件处于操作中，即在所述电极之间施加偏压以使得电荷载流子在二维材料中从所述第一电极流动到所述第二电极或反向流动时被执行，并且其中在所述二维材料与所述电极之间的界面处，电流密度向量基本上正交于所述界面， 在没有测量探针被放置在所述二维材料上时测量经过所述第一电极和所述第二电极的总电流， 在所述二维材料上将第一电流测量探针与所述第一电极尽可能接近地放置在沿所述第一电极与所述二维材料之间的界面的多个第一位置P1i中，其中所述第一电流测量探针被耦合到与所述第一电极相同的电压，并且其中所述第一电流测量探针在所述第一位置中的每一者中被配置成局部地对经过所述第一电极的电流进行分流， 确定经过处于所述第一位置的所述第一电流测量探针的电流，并且从中导出第一组电流密度值，所述第一组电流密度值表示所述二维材料中的电流密度向量在所述第一电极和所述二维材料之间的界面处的边界条件， 在所述二维材料上将能与所述第一电流测量探针相同或不相同的第二电流测量探针与所述第二电极尽可能接近地放置在沿所述第二电极和所述二维材料之间的界面的多个第二位置，其中所述第二电流测量探针被耦合到与所述第二电极相同的电压，并且其中所述第二电流测量探针在所述第二位置中的每一者中被配置成局部地对经过所述第二电极的电流进行分流， 确定经过处于所述第二位置的所述第二电流测量探针的电流，并且从中导出第二组电流密度值，所述第二组电流密度值表示所述二维材料中的电流密度在所述第二电极和所述二维材料之间的界面处的边界条件， 在将所述边界条件纳入考虑的情况下对方程求解，以由此获得所述二维材料中的电流密度分布。

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