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龙图腾网获悉夏普株式会社申请的专利有源矩阵基板及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903753B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110756568.6，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权有源矩阵基板及其制造方法是由山中昌光;近间义雅设计研发完成，并于2021-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本有源矩阵基板及其制造方法在说明书摘要公布了：提供具备具有顶栅结构并且特性相互不同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板。一种有源矩阵基板，具备分别具有氧化物半导体层和隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上的栅极电极的第1TFT和第2TFT，在第1TFT中，氧化物半导体层中的隔着栅极绝缘层由栅极电极覆盖的第1区域在整个范围内具有包含下部氧化物半导体膜和上部氧化物半导体膜的层叠结构，上部氧化物半导体膜的迁移率高于下部氧化物半导体膜的迁移率，在第2TFT中，氧化物半导体层的第1区域的至少一部分包含下部氧化物半导体膜和上部氧化物半导体膜中的一方氧化物半导体膜，并且不包含另一方氧化物半导体膜。

本发明授权有源矩阵基板及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种有源矩阵基板，具有包含多个像素区域的显示区域和设置在上述显示区域的周边的非显示区域，其特征在于，具备： 基板；以及 多个氧化物半导体TFT，其支撑于上述基板，设置在上述显示区域或上述非显示区域，上述多个氧化物半导体TFT各自具有：氧化物半导体层；隔着栅极绝缘层配置在上述氧化物半导体层的一部分上的栅极电极；以及源极电极和漏极电极， 上述氧化物半导体层包含隔着上述栅极绝缘层由上述栅极电极覆盖的第1区域、以及位于上述第1区域的两侧的第1接触区域和第2接触区域，上述第1接触区域电连接到上述源极电极，上述第2接触区域电连接到上述漏极电极， 上述多个氧化物半导体TFT包含第1TFT和第2TFT， 在上述第1TFT中，上述氧化物半导体层在整个范围内具有：层叠结构，其包含下部氧化物半导体膜、以及配置在上述下部氧化物半导体膜上的上部氧化物半导体膜，上述上部氧化物半导体膜和上述下部氧化物半导体膜的迁移率相互不同， 在上述第2TFT中，上述氧化物半导体层的上述第1接触区域和上述第2接触区域具有上述层叠结构，但上述第1区域的至少一部分包含上述下部氧化物半导体膜和上述上部氧化物半导体膜中的一方氧化物半导体膜，并且不包含另一方氧化物半导体膜， 上述多个氧化物半导体TFT各自还具有覆盖上述氧化物半导体层和上述栅极电极的绝缘层， 上述源极电极在形成于上述绝缘层的第1开口部内与上述第1接触区域接触，上述漏极电极在形成于上述绝缘层的第2开口部内与上述第2接触区域接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人夏普株式会社，其通讯地址为：日本大阪府；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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