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龙图腾网获悉深圳市深芯智创科技有限公司申请的专利一种声学雾化芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121715317B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610228868.X，技术领域涉及：B06B1/06；该发明授权一种声学雾化芯片及其制作方法是由雷芋琳;徐勇鹏设计研发完成，并于2026-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种声学雾化芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种声学雾化芯片及其制作方法。该声学雾化芯片，包括：压电基片、换能器、保护层、过渡连接层、支撑层和液体传输介质；所述换能器设置于所述压电基片上表面，所述保护层覆盖于所述换能器上表面，所述压电基片的下表面通过所述过渡连接层与所述支撑层紧密贴合；所述换能器包括两组对称叉指换能器，能够在所述压电基片表面激励出两列相向传播的兆赫兹频率的机械振动声波；所述压电基片与所述支撑层在对应所述换能器的孔径范围的区域分别设置有第一容置孔和第二容置孔，所述液体传输介质设置于所述第一容置孔和所述第二容置孔限定的区域空间内形成介质传输通道。

本发明授权一种声学雾化芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种声学雾化芯片，其特征在于，包括：压电基片1、换能器2、保护层3、过渡连接层4、支撑层5和液体传输介质6； 所述换能器2设置于所述压电基片1上表面，所述保护层3覆盖于所述换能器2上表面，所述压电基片1的下表面通过所述过渡连接层4与所述支撑层5紧密贴合； 所述换能器2包括两组对称叉指换能器，能够在所述压电基片1表面激励出两列相向传播的兆赫兹频率的机械振动声波； 所述压电基片1与所述支撑层5在对应所述换能器2的孔径范围的区域分别设置有第一容置孔11和第二容置孔51，所述液体传输介质6设置于所述第一容置孔11和所述第二容置孔51限定的区域空间内形成介质传输通道； 所述压电基片1的中心区域设置有第一容置孔11，所述支撑层5的中心区域设置有第二容置孔51，所述第一容置孔11和所述第二容置孔51的中心线重合； 所述第一容置孔11在沿所述换能器2的指条垂直方向的边缘线与所述换能器2内侧边缘线距离大于第一预设距离值；所述第一容置孔11在与所述换能器2的指条平行方向的边缘线不超过所述换能器2的孔径范围；所述第二容置孔51的尺寸小于所述第一容置孔11的尺寸。

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