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龙图腾网获悉北京大学申请的专利MEMS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121672409B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610170093.5，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权MEMS器件及其制备方法是由赵前程;唐毅;孙治宇;刘珈序设计研发完成，并于2026-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种MEMS器件及其制备方法，MEMS器件包括沿第一方向依次邻接的衬底、器件层及封帽层；衬底内包括沿第二方向交替排布的空腔凹槽、支撑柱；封帽层包括基片及沿第一方向贯穿基片的多个半导体柱，半导体柱与基片之间经由环绕半导体柱的隔离环隔离；器件层包括沿第二方向依次排布的第一驱动电极、第一可动驱动梳齿、第一梁、第一锚点、第二梁、第一可动检测梳齿及第一检测电极；第一可动驱动梳齿经由第一梁与第一锚点连接。至少能够提供一种电隔离性能优异、热匹配良好，及机电转换灵敏度高的MEMS器件，实现多路独立信号垂直互联引出的同时，避免因寄生电容过大导致信号串扰。

本发明授权MEMS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS器件，其特征在于，包括沿第一方向依次邻接的衬底、器件层及封帽层； 所述衬底内包括沿第二方向交替排布的空腔凹槽、支撑柱； 所述封帽层包括基片及沿所述第一方向贯穿所述基片的多个半导体柱，所述半导体柱与所述基片之间经由环绕所述半导体柱的隔离环隔离；所述隔离环为通过在所述基片上刻蚀环状沟槽后，进行玻璃回流填充并化学机械抛光形成的；沿所述第二方向相邻的隔离环之间经由隔离凹槽隔离；沿所述第一方向相邻的所述空腔凹槽、所述隔离凹槽连通； 所述器件层包括沿所述第二方向依次排布的第一驱动电极、第一可动驱动梳齿、第一梁、第一锚点、第二梁、第一可动检测梳齿及第一检测电极；所述第一可动驱动梳齿经由所述第一梁与所述第一锚点连接；所述第一可动检测梳齿经由所述第二梁与所述第一锚点连接；所述第一可动驱动梳齿、所述第一可动检测梳齿在所述第一驱动电极、所述第一检测电极之间电场力的驱动下运动； 所述第一驱动电极、所述第一锚点、所述第一检测电极分别与其沿所述第一方向相邻的所述支撑柱、所述半导体柱键合。

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