中国科学院合肥物质科学研究院周海山获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利钨第一壁的表面原位处理方法、钨第一壁和聚变装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121555985B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610080074.3，技术领域涉及：C23C14/48；该发明授权钨第一壁的表面原位处理方法、钨第一壁和聚变装置是由周海山;李宇;李雪纯;罗广南设计研发完成，并于2026-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本钨第一壁的表面原位处理方法、钨第一壁和聚变装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种聚变装置的钨第一壁的表面原位处理方法，包括：将钨第一壁加热至预设温度区间，预设温度区间为[700℃，1300℃]。基于预设辐照模式，对预先注入的氦气进行处理，生成氦等离子体并控制氦等离子体到达钨第一壁的入射离子能量处于预设能量区间，预设能量区间为[20eV，100eV]。根据氦等离子体，对处于预设温度区间的钨第一壁进行辐照处理，直至钨第一壁的累积氦离子注量满足预设条件，以在钨第一壁上原位生成钨绒毛层和氦泡，预设条件为累积氦离子注量大于。这样，钨绒毛层能通过降低钨的净溅射产额，避免氦等离子体遭受钨离子的污染。氦泡能抑制高温下的再结晶形核和晶粒长大。
本发明授权钨第一壁的表面原位处理方法、钨第一壁和聚变装置在权利要求书中公布了：1.一种聚变装置的钨第一壁的表面原位处理方法，其特征在于，所述方法包括： 将所述钨第一壁加热至预设温度区间，所述预设温度区间为[700℃，1300℃]； 基于预设辐照模式，对预先注入的氦气进行处理，生成氦等离子体并控制所述氦等离子体到达所述钨第一壁的入射离子能量处于预设能量区间，所述预设能量区间为[20eV，100eV]，所述预设辐照模式包括直流辉光放电模式、离子回旋壁处理模式和感应电场辅助模式； 根据所述氦等离子体，对处于所述预设温度区间的所述钨第一壁进行辐照处理，直至所述钨第一壁的累积氦离子注量满足预设条件，以在所述钨第一壁上原位生成钨绒毛层和氦泡，所述预设条件为所述累积氦离子注量大于，所述钨绒毛层为纳米级纤维交织形成的网状结构，所述钨绒毛层的厚度区间为[0.1μm，10μm]，所述氦泡位于所述钨绒毛层下方的所述钨第一壁的亚表层。
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