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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种空心球状电子封装材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121553985B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610093868.3，技术领域涉及：C01G31/00；该发明授权一种空心球状电子封装材料及其制备方法是由胡磊;吕怡萍;覃飞宇;白小鸭设计研发完成，并于2026-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种空心球状电子封装材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种空心球状电子封装材料及其制备方法，涉及电子封装材料制备领域，空心球状Cu2V2O7材料的制备方法包括以去离子水为溶剂配置铜离子溶液A和钒离子溶液B，溶液A和溶液B混合后得到前驱体溶液；将前驱体溶液加入雾化发生装置中，将前驱体溶液雾化成液滴；在雾化发生装置的进气管中通入惰性气体，将所述的液滴送入预热的管式炉中煅烧，煅烧温度为630~700℃，煅烧时间为4～10h，在石英管中收集空心球状Cu2V2O7产物。本发明解决了现有电子封装技术中，无机填料存在制备流程复杂、力学性能不足、成本高昂且环保性差的缺陷，以及封装材料与环氧树脂复配后因热膨胀系数失配而导致的结构可靠性偏低的技术问题。

本发明授权一种空心球状电子封装材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种空心球状Cu2V2O7材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、以去离子水为溶剂配置铜离子溶液A，所述铜离子溶液A的溶液浓度为0.15~0.20molL； 步骤2、以去离子水为溶剂配置钒离子溶液B，所述钒离子溶液B的溶液浓度为0.15~0.20molL； 步骤3、将步骤1配制的溶液A和步骤2配制的溶液B混合，按摩尔比计，所述溶液A和溶液B之间的比例为1:1，得到悬浮液；采用硝酸溶液调节悬浮液PH为2~3且至溶液澄清，得到前驱体溶液，所述硝酸溶液中的溶质HNO3与溶液B中的钒离子的摩尔比为1:2； 步骤4、将步骤3得到的前驱体溶液加入雾化发生装置中，将前驱体溶液雾化成液滴，所述雾化发生装置的总制雾速率为1800～2400mLh，每个制雾器的超声波频率为1.75MHz； 步骤5、在雾化发生装置的进气管中通入惰性气体，所述惰性气体流量为6Lmin，将步骤4所述的液滴送入预热的管式炉中煅烧，煅烧温度为630~700℃，煅烧时间为4～10h，在石英管中收集空心球状Cu2V2O7产物。

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