杭州弘晟智能科技有限公司王悦获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州弘晟智能科技有限公司申请的专利单晶材料晶面取向的补偿方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121428673B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202512041888.4,技术领域涉及:C30B35/00;该发明授权单晶材料晶面取向的补偿方法是由王悦;张济帆;张鹏鹏设计研发完成,并于2025-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本单晶材料晶面取向的补偿方法在说明书摘要公布了:本申请提供一种单晶材料晶面取向的补偿方法,包括:控制晶锭的端面法线与旋转载台的旋转轴共线,执行三次旋转,第i次旋转包括:将载台绕旋转轴旋转至预定角度ωi,转动射线发射器与探测器,若探测器信号出现衍射峰,确定射线发射器的入射光向量Vi对应的发射轴角度θi;基于三个预定角度ωi及其对应的发射轴角度θi,确定初始状态下的晶面法线向量;根据初始晶面法线向量,确定晶面偏离角和偏离方位角;调整晶锭的倾斜姿态,直至偏离角被调节至目标角度。该方法通过三次非共面测量替代相关技术中的全局扫描,能够有效提升单晶材料晶面取向补偿的效率。
本发明授权单晶材料晶面取向的补偿方法在权利要求书中公布了:1.一种单晶材料晶面取向的补偿方法,其特征在于,所述方法包括: 控制晶锭的端面法线与旋转载台的旋转轴共线,将射线发射器与探测器的相对夹角调节为180°-2φ,并能够使所述射线发射器与所述探测器能够绕同一转轴在第一特定平面内同步转动;其中,φ为所述晶锭待测晶面的布拉格角; 执行三次旋转步骤,其中第i次的旋转步骤,包括:将所述旋转载台绕所述旋转轴旋转至一预定角度ωi,转动所述射线发射器与所述探测器,若所述探测器的信号出现衍射峰,确定所述射线发射器的入射光向量Vi所对应的发射轴角度θi; 基于三个所述预定角度ωi及对应的所述发射轴角度θi,确定所述晶锭在初始状态下的晶面法线向量; 根据所述初始状态下的晶面法线向量,确定晶面偏离角和偏离方位角; 根据所述晶面偏离角和所述偏离方位角,调整所述晶锭的倾斜姿态,直至所述晶面偏离角被调节至目标角度; 其中, ω1为第一次旋转至的预定角度,ω2为第二次旋转至的预定角度,ω3为第三次旋转至的预定角度,ω1为0°,ω2和ω3为任意两个非零的角度,ω1、ω2以及ω3互不相同。
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