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龙图腾网获悉长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121419232B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511984430.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由刘志拯;李宗翰设计研发完成，并于2025-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：衬底，以及位于衬底上的多个存储单元晶体管，每一存储单元晶体管包括：纳米片组，纳米片组包括多个间隔排布且沿第一方向延伸的纳米片，纳米片包括沟道区；栅极层，覆盖纳米片组的多个沟道区；第一方向与衬底的表面平行；多个数据存储元件，沿第一方向位于纳米片组的一侧，每一数据存储元件与一个存储单元晶体管的多个纳米片电连接。

本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，并在所述衬底上形成多个存储单元晶体管；其中，形成所述存储单元晶体管包括：在所述衬底上形成初始堆叠结构，所述初始堆叠结构包括沿第二方向交替堆叠的第一介质层和堆叠层，所述堆叠层包括沿所述第二方向堆叠的多个第一半导体层，以及至少位于相邻的两个所述第一半导体层之间的第二介质层；图形化所述初始堆叠结构，形成沿第一方向延伸，并沿第三方向排布的多个堆叠结构，将所述堆叠结构中的所述第一半导体层定义为初始纳米片；沿所述第一方向去除部分所述初始纳米片和部分所述第二介质层，以在相邻的所述第一介质层之间形成沿所述第一方向延伸的第二沟槽，剩余的所述初始纳米片构成纳米片，多个所述纳米片间隔排布且沿第一方向延伸，位于相邻的所述第一介质层之间的多个所述纳米片构成纳米片组，所述纳米片包括沟道区；形成栅极层，所述栅极层覆盖所述纳米片组的多个沟道区；所述第三方向与所述第一方向相交且均平行于所述衬底的表面，所述第二方向与所述衬底的表面垂直； 形成多个数据存储元件，所述数据存储元件沿所述第一方向位于所述纳米片组的一侧，且至少部分位于所述第二沟槽内，每一所述数据存储元件与一个所述存储单元晶体管的多个所述纳米片电连接。

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