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龙图腾网获悉河南微米光学科技有限公司申请的专利一种晶体生长炉的智能温控系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121091933B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511238963.X，技术领域涉及：G05D23/22；该发明授权一种晶体生长炉的智能温控系统及方法是由甄西合;彭明林;周方;周松松;韩世昌;周超设计研发完成，并于2025-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶体生长炉的智能温控系统及方法在说明书摘要公布了：本申请涉及晶体生长设备的温度控制技术领域，具体涉及一种晶体生长炉的智能温控系统及方法。该系统包括数据采集模块、计算模块、控制模块和优化模块；其中，数据采集模块实时采集炉内物理参数与晶体质量参数；计算模块通过计算非均匀网格节点的热阻值，动态确定温度控制精度等级和温度偏差阈值，并输出控制指令；控制模块响应所述控制指令进行温度调节；优化模块建立缺陷密度与温度波动的关联模型，修正网格节点的热阻值。本申请实现了晶体生长全周期的精准温控，提升了温度调控精度与控制策略适应性，提高了晶体质量与成品率。

本发明授权一种晶体生长炉的智能温控系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体生长炉的智能温控系统，包括数据采集模块、计算模块、控制模块、优化模块； 数据采集模块用于实时采集晶体生长炉内的物理参数和晶体质量参数；所述晶体质量参数包括晶体生长参数和晶体缺陷检测数据；所述物理参数包括温度数据、热像数据、运动参数及气体参数；运动参数包括坩埚转速和提拉速度；气体参数包括进气流量和炉内压力； 计算模块包括热阻网络单元和控制精度单元； 所述热阻网络单元将炉膛空间划分为非均匀网格节点，并基于所述物理参数计算非均匀网格节点的热阻值；热阻网络单元还基于非均匀网格节点的热阻值与边界条件输出晶体生长界面的温度梯度分布； 所述控制精度单元基于所述温度梯度分布和晶体生长参数，动态确定晶体生长界面的温度控制精度等级和温度偏差阈值，当晶体生长界面的实际温度与目标温度之间差值的绝对值大于所述温度偏差阈值时，输出控制指令； 控制模块用于响应所述控制指令，驱动执行机构按照与所述温度控制精度等级对应的调节机制进行温度调节； 优化模块用于基于所述晶体缺陷检测数据和历史温度波动数据，建立缺陷密度与温度波动的关联模型，在每批次晶体生长结束后，基于晶体缺陷数据修正所述非均匀网格节点的热阻值； 所述基于非均匀网格节点间的热阻值与边界条件输出晶体生长界面的温度梯度分布的具体方式如下： 基于所述热阻值和能量守恒定律构建非稳态的热传导方程，并结合边界条件求解热传导方程；所述边界条件包括温度边界条件、热流边界条件、对流边界条件和辐射边界条件； 将热传导方程离散化后转化为线性方程组，通过数值算法求解方程组得到所有非均匀网格节点的温度值，从而得到三维温度场的近似分布； 在晶体生长界面位置处对三维温度场进行空间求导，得到晶体生长界面的温度梯度分布； 基于晶体缺陷数据修正所述非均匀网格节点的热阻值的步骤具体如下： 根据离线缺陷检测数据识别晶体上的缺陷密集区，并通过坐标映射关系定位所述缺陷密集区对应的非均匀网格节点集合； 调用温度波动与缺陷密度关联模型，判断所述缺陷密集区是否与温度波动显著正相关；若关联模型显示所述缺陷密集区温度波动与缺陷密度呈显著正相关，则将对应网格节点标记为优先修正节点；否则，将对应节点记录为待观察节点； 计算优先修正节点对应晶体区域的缺陷密度与全晶体平均缺陷密度的比值，得到缺陷影响系数；计算热阻网络单元输出的所述优先修正节点的温度与实测温度的差值，得到温度预测误差；将优先修正节点对应晶体区域的相关系数，作为优先修正节点对应晶体区域中的温度波动与缺陷密度的关联强度系数； 根据所述优先修正节点对应区域的缺陷影响系数、温度预测误差和关联强度系数，计算所述优先修正节点的热阻值的修正量；根据所述优先修正节点的热阻值的修正量更新所述优先修正节点的热阻值。

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