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龙图腾网获悉北京中科彼岸集成电路科技有限公司申请的专利多芯片高密度连接光刻技术的实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120779676B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510840039.2，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权多芯片高密度连接光刻技术的实现方法是由曾传滨;田大庆设计研发完成，并于2025-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本多芯片高密度连接光刻技术的实现方法在说明书摘要公布了：本申请公开了多芯片高密度连接光刻技术的实现方法、用于多芯片互连的光刻技术的实现方法、芯片级芯片互连方法、掩膜版线条的制作方法以及光刻设备，多芯片高密度连接光刻技术的实现方法包括：选择第一掩膜版通过第二对准标记与第一M×N芯片组中第一原有图形单元对准曝光，将第一掩膜版图形转移到覆盖第一原有图形单元的曝光区域；将衬底纵向移动M倍原有图形纵向尺寸或横向移动N倍原有图形横向尺寸执行对准曝光，完成其他M×N芯片组对应区域的曝光；选择其它掩膜版重复对第一M×N芯片组其他相应图形单元执行曝光，重复执行纵向移动或横向移动完成其他M×N芯片组中相应图形单元对应区域的曝光。本方案实现了多芯片高密度互连。

本发明授权多芯片高密度连接光刻技术的实现方法在权利要求书中公布了：1.一种多芯片高密度连接光刻技术的实现方法，用于实现包含M×N个芯片的互连，其特征在于，包括： 将存在原有图形单元的待曝光衬底装载至光刻设备的载物台，通过所述衬底上的第一对准标记进行第一对准； 对于衬底上第一M×N芯片组，选择第一掩膜版，通过所述衬底上的第二对准标记使得所述第一掩膜版与所述第一M×N芯片组中的第一原有图形单元对准，执行曝光，将所述第一掩膜版图形转移到覆盖所述第一原有图形单元的曝光区域； 将所述衬底纵向移动M倍单个所述原有图形单元的纵向尺寸、或者横向移动N倍单个所述原有图形单元的横向尺寸，重复执行所述对准和曝光步骤，完成所述衬底上其他M×N芯片组中的与所述第一原有图形单元对应的图形单元的曝光区域的曝光； 选择其它掩膜版，重复对所述第一M×N芯片组的第一原有图形单元之外的相应图形单元执行曝光，以及重复执行纵向移动M倍单个所述原有图形单元的纵向尺寸、或者横向移动N倍单个所述原有图形单元的横向尺寸，完成所述衬底上其他M×N芯片组中其他相应图形单元对应区域的曝光； 其中，对于任一M×N芯片组中，覆盖任一原有图形单元的曝光区域和与其相邻的原有图形单元的曝光区域存在重叠区域；对于任一M×N芯片组中，连接在一起的M×N芯片外围划片道上无深入原有图形单元内部且连接原有图形单元的互连线图形；M和N均为大于或者等于1的整数，且M和N至少一个大于或者等于2； 所述重叠区域为M×N芯片组中相邻图形单元对应相邻曝光区域的第一曝光区域和第二曝光区域相重叠产生的区域；所述第一曝光区域包括第一线条、第二线条和第三线条；所述第二曝光区域包括第四线条、第五线条和第六线条；所述第一线条和所述第三线条相连接且所述第二线条与所述第三线条相连接；所述第四线条和所述第六线条相连接且所述第六线条和所述第五线条相连接； 其中，所述第一线条为所述第一曝光区域中用于实现所述第一曝光区域和所述第二曝光区域相连接的线条；所述第四线条为所述第二曝光区域中用于实现所述第一曝光区域和所述第二曝光区域相连接的线条；所述第二线条为对所述第四线条涨缩后在所述第一曝光区域重叠区中形成的线条；所述第三线条为在所述第一曝光区域中强化所述第一曝光区域和所述第二曝光区域之间的连接的线条；所述第五线条为对所述第一线条涨缩后在所述第二曝光区域重叠区中形成的线条；所述第六线条为在所述第二曝光区域中强化所述第一曝光区域和所述第二曝光区域之间的连接的线条。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京中科彼岸集成电路科技有限公司，其通讯地址为：100080 北京市海淀区颐和园路2号未来科技大厦主楼3层313单元；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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