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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种具有拓扑声子态层的半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120728359B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510907522.8，技术领域涉及：H01S5/06；该发明授权一种具有拓扑声子态层的半导体激光元件是由郑锦坚;阚宏柱;蓝家彬;蔡鑫;钟志白;杨力勋;寻飞林;邓和清;李晓琴;刘紫涵;曹军;张江勇;李水清设计研发完成，并于2025-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有拓扑声子态层的半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明提出一种具有拓扑声子态层的半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层。本发明在半导体激光元件的下波导层与下限制层之间设置有多层结构的拓扑声子态层，并对每一层拓扑声子态层的饱和电子漂移速率分布特性、电子亲和能分布特性和极化光学声子能量分布特性进行设计，能够可调拓扑量子态和声子谱的拓扑相变，改变量子态和晶格振动模式，降低泵浦光与振荡光光子能量差的斯托克斯频移损耗，抑制激光器的热应力和温度淬灭问题。

本发明授权一种具有拓扑声子态层的半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种具有拓扑声子态层的半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，其特征在于，所述下波导层与下限制层之间设置有拓扑声子态层，所述拓扑声子态层包括从下至上依次设置的第一拓扑声子态层、第二拓扑声子态层和第三拓扑声子态层，所述第一拓扑声子态层、第二拓扑声子态层和第三拓扑声子态层中均具有饱和电子漂移速率分布特性、电子亲和能分布特性和极化光学声子能量分布特性； 所述第一拓扑声子态层的饱和电子漂移速率具有函数y1=A+B*lnx1+1x1-1曲线分布； 所述第二拓扑声子态层的饱和电子漂移速率具有线性函数分布； 所述第三拓扑声子态层的饱和电子漂移速率具有函数y2=C+D*cosx3x3第二四象限曲线分布； 所述第一拓扑声子态层的电子亲和能具有函数y3=E+F*lnx1ex1曲线分布； 所述第二拓扑声子态层的电子亲和能具有线性函数分布； 所述第三拓扑声子态层的电子亲和能具有函数y4=G+H*sinx3x32第三象限曲线分布； 所述第一拓扑声子态层的极化光学声子能量具有函数y5=I+J*lnx1x1曲线分布； 所述第二拓扑声子态层的极化光学声子能量具有线性函数分布； 所述第三拓扑声子态层的极化光学声子能量具有函数y6=K+L*x3ex3曲线分布； 其中，x1为第一拓扑声子态层往第二拓扑声子态层方向的深度，x3为第三拓扑声子态层往下波导层方向的深度。

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