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龙图腾网获悉太原理工大学;山西浙大新材料与化工研究院申请的专利垂直腔面发射激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119834060B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411886840.2，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权垂直腔面发射激光器及其制备方法是由贾志刚;贾秀阳;陈小东;董海亮;梁建;许并社设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直腔面发射激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及特别涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，激光器包括自下而上依次设置的n面电极层、衬底层、缓冲层、n‑DBR层，所述n‑DBR层上方设置有位于外周的SiO2绝缘层，所述SiO2绝缘层中心自下而上依次设置形成圆柱台的n‑下氧化限制结构层、下空间层、量子阱有源区、上空间层、p‑上氧化限制结构层、p‑DBR层、接触层、p面电极层。本发明通过采用对称氧化限制结构，使得更多的载流子被限制在氧化孔中，可以提高输出功率和电光转换效率，而且还可以调控横模的数量和分布。

本发明授权垂直腔面发射激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括自下而上依次设置的n面电极层、衬底层、缓冲层、n-DBR层，所述n-DBR层上方设置有位于外周的SiO2绝缘层，所述SiO2绝缘层中心自下而上依次设置形成圆柱台的n-下氧化限制结构层、下空间层、量子阱有源区、上空间层、p-上氧化限制结构层、p-DBR层、接触层、p面电极层； 所述n-下氧化限制结构层包括至少一个周期的n-下氧化限制结构，所述n-下氧化限制结构自下而上依次设置的n-Alz1GaAs高折射率层，n-Al0.98GaAs氧化限制层和n-Al0.9GaAs低折射率层，所述n-Al0.98GaAs氧化限制层外周通过湿法氧化工艺形成了第一氧化铝层； 所述p-上氧化限制结构层包括至少一个周期的p-上氧化限制结构，所述p-上氧化限制结构包括自下而上依次设置的p-Al0.9GaAs低折射率层、p-Al0.98GaAs氧化限制层和p-Alz2GaAs高折射率层，所述p-Al0.98GaAs氧化限制层外周通过湿法氧化工艺形成了第二氧化铝层，z1和z2分别表示对应材料中的Al组分，z1=z2=0.05。

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