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龙图腾网获悉物元半导体技术(青岛)有限公司申请的专利低导通电阻半导体功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118943006B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410991029.4，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权低导通电阻半导体功率器件及其制备方法是由李科;杨同同;苟学鑫;张文鑫;曹学文;颜天才;杨列勇;陈为玉设计研发完成，并于2024-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本低导通电阻半导体功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低导通电阻半导体功率器件的制备方法，包括在半导体衬底上刻蚀形成沟槽；在沟槽内沉积高纯度未掺杂硅，形成本征硅外延层；在本征硅外延层上沉积锗硅外延层，温度控制在800℃以下，控制锗含量20％，硼浓度1E18cm‑3，采用低压化学气相沉积LPCVD、等离子增强化学气相沉积PECVD、分子束外延MBE、液相外延LPE或物理气相沉积PVD方法；其中LPCVD方法中的总气体压力小于200torr。通过控制硅烷和锗烷气体的流量，使锗烷气体占总气体流量的比例小于20％。本发明解决了传统高温外延过程中的P型半导体材料外扩，导致衬底电阻受影响的技术问题。

本发明授权低导通电阻半导体功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低导通电阻半导体功率器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 在半导体衬底上刻蚀形成沟槽； 在沟槽内沉积高纯度未掺杂硅，形成本征硅外延层，包括： 在反应室内进行预热处理，使衬底表面达到沉积温度； 向反应室引入高纯度硅烷SiH4气体； 调节反应室内的温度在800℃以下，使本征外延层达到设定厚度； 在本征硅外延层上沉积锗硅外延层，温度控制在800℃以下,控制锗硅外延层的锗含量为＜20%，硼浓度＜1E18cm-³，沉积方法包括以下任一种：低压化学气相沉积LPCVD、等离子增强化学气相沉积PECVD、分子束外延MBE、液相外延LPE、物理气相沉积PVD； 其中，低压化学气相沉积LPCVD方法中的总气体压力小于200torr； 其中，低压化学气相沉积方法控制锗硅外延层的锗含量为＜20%，包括： 向反应室内引入硅烷SiH4气体和锗烷GeH4气体，控制硅烷气体的流量； 控制锗烷气体的流量，使锗烷气体占总气体流量的比例小于20%； 调节反应室内的温度，使其保持在800℃以下； 其中，低压化学气相沉积方法控制锗硅外延层的硼浓度＜1E18cm-³包括：在沉积锗硅外延层过程中，向反应室内引入硼烷B2H6气体； 调节硼烷气体的流量，使硼浓度保持在小于1E18cm-³。

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