沈阳工业大学李明春获国家专利权
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龙图腾网获悉沈阳工业大学申请的专利一种贫铟钨青铜相镶嵌块组装的复合材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117985760B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311860498.4，技术领域涉及：C01G41/00；该发明授权一种贫铟钨青铜相镶嵌块组装的复合材料及其制备方法是由李明春;牟翰林;曲晓涵;王瑞旸;简亮;吴玉胜设计研发完成，并于2023-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种贫铟钨青铜相镶嵌块组装的复合材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种贫铟钨青铜相镶嵌块组装的复合材料及其制备方法，贫铟钨青铜相镶嵌块组装的复合材料是由In0.02WO3与WO3复合而成，在贫铟钨青铜相镶嵌块组装的复合材料中存在着许多由钨和氧原子间间隙组成的隧道，铟离子在隧道中心位置两侧随机分布。方法：步骤一、营造过饱和硫酸钠溶液环境；步骤二、在步骤一所得过饱和硫酸钠溶液环境中，加入硝酸铟，加入NH4Cl水热反应；步骤三、离心；步骤四、将钨酸钠、草酸和氯化铵依次加入到去离子水中，滴入HCL，加入步骤三的产物水热反应，离心并洗涤，最终制得贫铟钨青铜相镶嵌块组装的复合材料。本发明材料对丙酮气体的灵敏度高，工作温度低。
本发明授权一种贫铟钨青铜相镶嵌块组装的复合材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种贫铟钨青铜相镶嵌块组装的复合材料，其特征在于：贫铟钨青铜相镶嵌块组装的复合材料是由In0.02WO3与WO3复合而成，在贫铟钨青铜相镶嵌块组装的复合材料中存在着许多由钨和氧原子间的间隙组成的隧道，铟离子在隧道中心位置两侧随机分布；贫铟钨青铜相镶嵌块组装的复合材料的结构是由无数个中空球组成的，单个贫铟钨青铜相结构中空球分散性良好，微球直径2-3μm，厚度为450nm-520nm，微球内含有直径大于1nm且小于等于2nm的微孔、直径大于2nm且小于等于50nm的介孔，直径大于50nm且小于等于100nm的大孔，单个贫铟钨青铜相结构中空球是由镶嵌块状板条组装成的中空球结构，镶嵌块状板条长度为50-250nm，高度为10-50nm，宽度为20-100nm。
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