长鑫存储技术有限公司赵文礼获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117794235B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211153060.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制作方法、存储器是由赵文礼设计研发完成，并于2022-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法、存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法、存储器，该方法包括：提供由半导体层和牺牲层交替堆叠的堆叠结构；堆叠结构包括：第一堆叠区，以及连接在多条第一堆叠区的第一端的第二堆叠区；第一堆叠区之间填充有绝缘材料；沿第一方向刻蚀第二堆叠区以及部分第一堆叠区的牺牲层，形成第一多层空隙；第二堆叠区的半导体层用于形成多个堆叠的位线结构；填充第一多层空隙位于第一堆叠区的部分，形成第一隔离层；在第一堆叠区相邻的绝缘材料中形成垂直于堆叠结构表面方向的开口；从开口处刻蚀第一隔离层，以去除至少部分第一隔离层；在开口处形成垂直于堆叠结构表面方向延伸的字线结构；在每条第一堆叠区形成堆叠的多个存储结构。
本发明授权半导体结构及其制作方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括： 提供由半导体层和牺牲层交替堆叠的堆叠结构；所述堆叠结构包括沿第一方向延伸的若干条第一堆叠区，以及连接在多条所述第一堆叠区的第一端，且沿第二方向延伸的第二堆叠区；其中，所述第一方向与所述第二方向相交；所述第一堆叠区之间填充有绝缘材料； 沿所述第一方向刻蚀所述第二堆叠区以及部分所述第一堆叠区的所述牺牲层，形成第一多层空隙；所述第二堆叠区的所述半导体层用于形成多个堆叠的位线结构； 填充所述第一多层空隙位于所述第一堆叠区的部分，形成第一隔离层； 在所述第一堆叠区相邻的所述绝缘材料中形成垂直于所述堆叠结构表面的开口； 从所述开口处刻蚀所述第一隔离层，以去除至少部分所述第一隔离层； 在所述开口处形成沿垂直于所述堆叠结构表面方向延伸的字线结构； 在所述第一堆叠区形成堆叠的多个存储结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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