中国科学院微电子研究所丁飞获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种拾取贴片吸头和制备方法、混合键合方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117174633B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210584506.6,技术领域涉及:H10P72/78;该发明授权一种拾取贴片吸头和制备方法、混合键合方法是由丁飞;王启东;戴风伟;曹立强设计研发完成,并于2022-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种拾取贴片吸头和制备方法、混合键合方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种拾取贴片吸头和制备方法、混合键合方法,属于半导体封装技术领域,解决了现有技术中微型芯片直接接触拾取无法保证洁净度、所需空间较大、非接触拾取无法用于微型芯片的问题。吸头包括吸盘以及分体设置的基体和盖体,基体上开设进气通道、配气型腔、气旋通道和气旋型腔;气旋通道的出气方向与气旋型腔的径向的角度大于0°且小于等于90°。制备方法包括加工基体和盖体,密封连接。混合键合方法包括采用拾取贴片吸头对微型芯片的正面进行拾取;将微型芯片的背面放置于接触吸头上;将微型芯片的正面与晶圆接触进行加压贴片。拾取贴片吸头和制备方法、混合键合方法可用于微型芯片的贴片。
本发明授权一种拾取贴片吸头和制备方法、混合键合方法在权利要求书中公布了:1.一种拾取贴片吸头,其特征在于,包括气旋式吸头以及用于真空吸附气旋式吸头的吸盘;所述气旋式吸头包括分体设置的基体和盖体,所述基体上开设依次连通的进气通道、配气型腔、气旋通道和气旋型腔,所述配气型腔的顶端为敞开端,所述盖体盖设于敞开端且与敞开端密封连接;所述气旋通道的出气方向与气旋型腔的径向的角度大于0°且小于等于90°; 所述进气通道沿基体的径向设置,所述配气型腔设于基体的顶端,所述气旋通道设于基体的底端,所述配气型腔的轴线、气旋通道的轴线均与基体的轴线平行;所述气旋通道包括第一段以及与第一段连通的第二段,所述第一段的轴线与基体的轴线平行,所述第二段的出气方向与气旋型腔的径向的角度大于0°且小于等于90°; 所述盖体与基体的连接处设有相互配合的限位块和限位槽,所述限位块与盖体和基体中的其中一个固定连接,所述限位槽开设于盖体和基体中的另一个上;所述限位块包括依次连接的连接段、限位段和勾起段,所述连接段、限位段和勾起段均位于盖体和基体的边缘处,所述限位槽包括依次连通的连接槽、限位槽和勾起槽,所述连接段插入连接槽中,所述限位段插入限位槽中,所述勾起段插入勾起槽中,所述限位段限定盖体和基体之间的轴向位移,所述勾起段限定盖体和基体之间的径向位移;所述拾取贴片吸头适用于微型芯片,所述微型芯片的尺寸为1~100mm×1~100mm;气流依次经过进气通道、配气型腔、气旋通道和气旋型腔,从气旋型腔与微型芯片之间的空隙的流出,并沿气旋型腔的径向向外快速扩散,实现微型芯片的无接触吸附和拾取。
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