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龙图腾网获悉河南东微电子材料有限公司申请的专利一种钴钌靶材及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116815138B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310848020.3，技术领域涉及：C23C14/34；该发明授权一种钴钌靶材及其制备方法是由李心然;居炎鹏;王永超;赵泽良;陈渊博;王洪勃;张亚萌;王天会;刘博;王永康设计研发完成，并于2023-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钴钌靶材及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，且公开了一种钴钌靶材及其制备方法，本发明以纯度为2N899.8％的钴锭和纯度为3N99.9％的钌锭经过真空蒸馏和电弧熔炼进行纯化，得到高纯度的高纯度的4N99.99％钴锭和4N99.99％钌锭；然后采用旋转热轧工艺，得到晶粒尺寸均匀、晶粒取向度高的钴钌靶材，克服传统轧制工艺制备的靶材会出现晶粒尺寸不均匀和晶粒取向杂乱等问题，本发明有效地提高靶材晶粒尺寸均匀度和晶粒取向度。并且具有制备工艺简单，能大幅降低生产周期，降低生产成本，适合大批量生产的优点。

本发明授权一种钴钌靶材及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钴钌靶材的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤： 步骤1：将纯度为2N899.8%的钴锭在真空蒸馏炉进行一次真空蒸馏，然后将一次蒸馏后的钴锭进行二次真空蒸馏，最后钴锭在电弧熔炼炉中进行真空电弧熔炼，得到高纯度的4N99.99%钴锭； 步骤2：将纯度为3N99.9%的钌锭在真空蒸馏炉进行真空蒸馏，然后将蒸馏后的钌锭在电弧熔炼炉中进行真空电弧熔炼，得到高纯度的4N99.99%钌锭； 步骤3：分别取用纯度均为4N的钴锭和钌锭混合后进行真空熔炼，得到钴钌合金液，将钴钌合金液注入圆盘形状的石墨模具中，得到高纯度钴钌合金圆锭； 步骤4：将步骤3所得的钴钌合金圆锭进行多次旋转热轧，旋转角度为120°，轧制2～3周，得到钴钌合金板坯； 步骤5：将所述钴钌合金板坯进行退火处理，得到钴钌靶材； 所述步骤4中每轧制一道次后将轧制方向旋转120°进行下道轧制，每轧制三道次为1周，轧制2～3周； 所述步骤4中热轧后钴钌合金板坯的总变形量为60%～80%，晶粒尺寸为120±20μm，晶粒取向为0001面的晶粒占比为40%～60%； 所述步骤4中热轧温度为950～1350℃，热轧时间为8～20min。

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