中国科学院物理研究所曹立新获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利磁性半导体薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116564706B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210100300.1，技术领域涉及：H01F41/20；该发明授权磁性半导体薄膜及其制备方法是由曹立新;陈浩锋;杨鑫;黄忠学;王瑞设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁性半导体薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种制备磁性半导体薄膜的方法，其包括如下步骤：1将多晶磁性半导体靶材放入薄膜沉积腔室内；2将作为束源材料的K单质和Mn单质分别置于两个束源炉中；3清洗基片，然后将清洗后的基片安装在基片台上；4然后，加热所述基片台进而加热所述基片；5通过非反应性气体控制薄膜沉积腔室的气压为6‑100Pa，然后利用分子束辅助脉冲激光沉积方法在所述基片上外延生长薄膜；6待薄膜生长完成后，调整薄膜沉积腔室的气压并冷却基片，得到磁性半导体薄膜Ba1‑xKxZn1‑yMny2As2，其中，0.08x≤0.40,0.15y≤0.30。本发明还提供一种本发明的方法制得的磁性半导体薄膜。本发明的方法能够提高薄膜中K和Mn的含量，进而提高薄膜的顺磁‑铁磁转变温度。
本发明授权磁性半导体薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种制备磁性半导体薄膜的方法，其包括如下步骤： 1将多晶磁性半导体靶材放入薄膜沉积腔室内； 2将作为束源材料的K单质和Mn单质分别置于两个束源炉中； 3清洗基片，然后将清洗后的基片安装在基片台上； 4然后，加热所述基片台进而加热所述基片； 5通过非反应性气体控制薄膜沉积腔室的气压为6-100Pa，然后利用分子束辅助脉冲激光沉积方法在所述基片上外延生长薄膜； 6待薄膜生长完成后，调整薄膜沉积腔室的气压并冷却基片，得到磁性半导体薄膜Ba1-xKxZn1-yMny2As2，其中，0.08x≤0.40,0.15y≤0.30。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院物理研究所，其通讯地址为：100190 北京市海淀区中关村南三街8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励