之江实验室刘冠东获国家专利权
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龙图腾网获悉之江实验室申请的专利一种基于单晶硅晶圆的高温压力传感芯片及三维集成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116481684B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310685929.1，技术领域涉及：G01L1/18；该发明授权一种基于单晶硅晶圆的高温压力传感芯片及三维集成方法是由刘冠东;刘楠;王伟豪;李洁;王传智;曹荣设计研发完成，并于2023-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于单晶硅晶圆的高温压力传感芯片及三维集成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于单晶硅晶圆的高温压力传感芯片及三维集成方法，该芯片的制作工艺包括力敏电阻制造步骤、绝缘隔离步骤、耐高温电极及互连线制造步骤、压力敏感膜片腐蚀步骤、键合步骤。本发明使用在力敏电阻的周围刻蚀绝缘隔离槽并填充和覆盖绝缘层、精确腐蚀力敏电阻的下层体硅相结合的方法，避免了传统单晶硅pn结隔离高温漏电流失效的问题，不依赖SOI晶圆、碳化硅晶圆等昂贵的材料，使用一般的单晶硅晶圆就实现了惠斯登电桥力敏电阻间的相互绝缘隔离，满足高温工作需求。提出的基于硅通孔的气密无引线键合方法进一步提升了压力传感芯片的可靠性。同时，制造方法与硅基CMOS工艺完全兼容，可以实现晶上系统集成。
本发明授权一种基于单晶硅晶圆的高温压力传感芯片及三维集成方法在权利要求书中公布了：1.一种基于单晶硅晶圆的高温压力传感芯片，其特征在于，其制作工艺包括： 力敏电阻制造步骤：在单晶硅晶圆上制造对压力敏感的力敏电阻； 绝缘隔离步骤：在所述力敏电阻周围刻蚀绝缘隔离槽，在绝缘隔离槽中、力敏电阻的上表面以及单晶硅晶圆的上表面沉积绝缘层，在所述单晶硅晶圆的下表面沉积钝化层，其中，绝缘隔离槽仅设置在力敏电阻侧面，所述力敏电阻下方不设置绝缘隔离槽； 耐高温引线互联制造步骤：在力敏电阻的欧姆接触区域刻蚀绝缘层，制造耐高温的引线互联； 压力敏感膜片腐蚀步骤：腐蚀所述钝化层，直至力敏电阻的下表面的硅被完全腐蚀去除，得到压力敏感膜片； 键合步骤：将所述压力敏感膜片与基板进行真空键合，形成具有真空参考腔的高温压力传感芯片。
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