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龙图腾网获悉芯盟科技有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法、存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116322028B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211586228.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制作方法、存储器系统是由华文宇设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制作方法、存储器系统在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体结构，包括：有源柱阵列，包括呈阵列排布的第一有源柱和第二有源柱，第一有源柱和第二有源柱均包括沟道区以及分别位于沟道区沿第一方向相对两端的第一有源区和第二有源区，第一方向为沟道区延伸的方向；字线，环绕第一有源柱和第二有源柱；第一存储结构，位于有源柱阵列的第一侧，与第一有源柱的第一有源区电连接；第二存储结构，位于有源柱阵列的第二侧，与第二有源柱的第二有源区电连接；第一侧以及第二侧为有源柱阵列沿第一方向相对的两侧；第一位线，位于有源柱阵列的第二侧，与第一有源柱的第二有源区连接；第二位线，位于有源柱阵列的第一侧，与第二有源柱的第一有源区连接。

本发明授权半导体结构及其制作方法、存储器系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 有源柱阵列，包括呈阵列排布的第一有源柱和第二有源柱，所述第一有源柱和所述第二有源柱均包括沟道区以及分别位于所述沟道区沿第一方向相对两端的第一有源区和第二有源区，所述第一方向为所述沟道区延伸的方向；所述第一有源柱和所述第二有源柱构成沿第二方向排布的若干列有源柱和沿第三方向排布的若干行有源柱，每一行有源柱均包括交替排布的所述第一有源柱和所述第二有源柱，每一列有源柱均包括第一有源柱或第二有源柱，所述第二方向与所述第三方向相交且均与所述第一方向垂直； 字线，环绕所述第一有源柱和所述第二有源柱； 第一存储结构，位于所述有源柱阵列的第一侧，与所述第一有源柱的第一有源区电连接； 第二存储结构，位于所述有源柱阵列的第二侧，与所述第二有源柱的第二有源区电连接；所述第一侧以及所述第二侧为所述有源柱阵列沿所述第一方向相对的两侧； 第一位线，位于所述有源柱阵列的第二侧，与所述第一有源柱的第二有源区连接； 第二位线，位于所述有源柱阵列的第一侧，与所述第二有源柱的第一有源区连接。

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